制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层,作为红外探测器的吸收层,然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用,研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件,以及研究红外探测器器件性能,做好基础工作．     

In0.53Ga0.47As红外探测器结构设计与器件性能研究

采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长InGaAs红外探测器器件结构.器件结构为:在掺杂的InP衬底上生长2.8μm的In0.53Ga0.47As吸收层,然后再生长0.8 μm的InP覆盖层.采用Zn扩散技术得到P型,从而制备出平面型p-i-n探测器器件,并对128×2线列器件的性能进行研究,测量线列探测器的I-V曲线、光谱响应曲线.所制作的128×2 In0.53Ga0.47As线列器件无盲元.线列器件的平均峰值探测率D*为3.98×1011cmHz1/2W-1.     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .     

In_(1-x)Al_xAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和 Cu Kα X射线衍射方法对 In1 - x Alx As/ Ga As一维超点阵结构进行对比式研究 .从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ ,由 Ga As(0 0 2 )附近衍射数据求得各结构参数 .对两种光源的衍射结果进行了分析和比较 .解释了该超点阵的 Raman散射谱 ,发现在 Ga1 - x Alx As混晶谱中不存在的 2 75 cm- 1 峰 .     

LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

超平坦化Gd3Ga5O12(111)基片用于石榴石结构材料薄膜的生长

通过高温退火处理获得了具有在原子尺度范围内平坦化表面的Gd3Ga5O12(111)基片。在此基片上生长的Y3Fe5O12薄膜的表面光滑度有明显提高。与商品的Gd3Ga5O12(111)基片相比,超平坦化的Gd3Ga5O12(111)基片在生长石榴石结构材料薄膜方面具有明显的优越性。     

GaN／InGaN应变层临界厚度的计算

本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN／InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析。发现PB模型比较能准确估计GaN／InGaN异质结应变层临界厚度．最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大．     

阳极多孔三氧化二铝模板孔对化学蒸气沉积合成纳米材料的作用研究

在各种化学蒸气沉积生长排列整齐的纳米材料的合成方法中,阳极三氧化二铝(AAO)模板被广泛采用主要由于容易通过电压和阳极氧化时间来控制其孔径.这里,我们表征存在/不存在催化剂时生长在AAO模板上的碳纳米管和氧化物材料的生长机理.我们还研究了在合成密集整齐排列的纳米结构生长过程中氢气的还原效应.实验结果显示AAO模板本身促进Ga2O3生长机理,氧化物催化剂氢化还原提高了碳纳米管的生长速率和结晶度.氢化还原中使用AAO模板可以很好地控制排列整齐的纳米材料的直径和密度.     

原子轨道能与原子轨道的钻穿作用

原子轨道的钻穿作用是原子结构量子理论中的重要问题之一。我们以F.Herman和S.Skillman用Hartree方法计算得到的原子轨道能的数据(1963)为依据,系统地考察了从氦到铹(He—Lw)原子的价层轨道能量变化情况,进而探讨了原子轨道的钻穿作用问题。发现了两个重要现象。(1) Ga、Ge、As原子的4S轨道能分别低于同族元素Al、Si、P原子的3S轨道能。它显示了较强的钻穿作用。(2) 尚未发现Tl、Pb、Bi原子6s轨道有特殊的钻穿作用。     

赠与合同若干问题探析

赠与合同的法律性质及与之相关联的撤销赠与的条件和法律后果、受赠人范围等问题,必须依合同法的立法宗旨得到准确解释。赠与合同采诺成合同说才符合合同法的立体本意,而且合同法规定赠与合同为诺成合同的同时,赋予赠与人的任意撤销权和法定权,与实践合同说特殊途同归。此外,无民事行为能力人应纳入受赠人范围。     

不同稻作区蜘蛛群落组成与分布比较

根据中国水稻所的“中国水稻种植区划”分区系统,按水稻分区研究了蜘蛛群落组成及其优势种的地理分布特点。在全国六大稻作区内设82个样点,以水稻抽穗期作一次性调查,所获标本经鉴定,计有21科,74属,163种,优势种蜘蛛8科,12属,26种,稻作区及稻作亚区之间,蜘蛛及其优势种蜘蛛科的变化不大,属的变化明显,种的变化最明显,稻作区蜘蛛及其优势种类群,总分布趋势是从南向北逐渐递减,其中种数最多的亚区为“Ⅰ1,闽粤桂台平原丘陵双季稻亚区”,“Ⅱ2,滇南河谷盆地单季稻亚区”,“Ⅲ2,滇川高原岭谷单季稻两熟亚区”,最少的亚区为“Ⅴ1,黑吉平原河谷特早熟亚区”,“Ⅴ2,黑吉平原河谷特早熟亚区”与“Ⅲ3,青藏高寒河谷单季稻亚区”。     

嘉兴市制造业竞争力的数量分析

根据2004全国第1次经济普查数据,用主成份分析法,构建了一个产业竞争力的评价模型.对嘉兴制造业内部30个行业进行分析,并提出相应对策.     

谐振动的坐标原点和势能零点的选择

用数学、力学的一般讨论方法,说明谐振动就是动、势能在平衡位置附近相互转化,并用算例重点论证了对于谐振系统,其坐标系原点和势能零点一般只能选在这个谐振动系统的平衡位置上,而非一般力学问题可任意选取.为解决物理教学上的难点,提供一个选择方案.     

金属冷变形过程中的温度及产品质量控制

以拉拔变形为例在理论上分析了金属冷变形过程中产生的温度及其对模具和冷变形产品质量的影响 ,提出了控制产品质量的方法与措施