GaAs非平面衬底液相外延的实验研究

本文介绍了在GaAs非平面衬底上进行液相外延的实验,研究了沟槽形状等衬底几何参数和降温速度、过冷度等外延条件对外延层的影响。     

收缩双异质结构激光器

本文介绍了我们研制的收缩双异质结构激光器(CDH),与氧化物隔离条形激光器相比,该激光器的阈值较低,消除了光功率-电流曲线的扭曲现象(kink)。本文还讨论了这种激光器的电流集中效应和模式导引机制。     

LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。     

LPE法生长GaP/Si材料初探

用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10μm的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较.结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象;Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In熔体,而且GaP符合化学计量比.测得GaP外延层带隙波长为540     

SnO2元件表面形态的电子显微镜研究

利用电子显微镜对ＳｎＯ２元件的表面形貌进行观察，分析元件表面形貌对其稳定性的影响。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。     

(AlGa)As可见光激光器

本文报导了氧化物条形(AlGa)As可见光激光器的一些实验工作。对激射波长与有源区生长熔体中掺铝量的关系,以及阈值随激射波长的变化进行了较为详细的讨论。     

氧化物条形激光器结构参数与阈值电流的关系

本文对氧化物隔离条形激光器的一些主要结构参数,特别对电流横向扩展效应进行了实验研究;并制得批量阈值低于100 mA的器件。     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。