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| 研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度 | |
| 引用本文： | 张铁民,缪国庆,孙秋,孙书娟,傅军,符运良.研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度[J].海南师范大学学报(自然科学版),2011,24(1). |
| 作者姓名： | 张铁民 缪国庆 孙秋 孙书娟 傅军 符运良 |
| 作者单位： | 1. 海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口,571158 2. 中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春,130021 3. 海南师范大学图书馆,海南,海口57l158 |
| 基金项目： | 海南省教育厅高等学校科研基金项目，国家自然科学基金重点项目，海南省自然科学基金项目，海南师范大学学科建设基金项目 |
| 摘 要： | 根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响. |
| 关 键 词： | In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 临界厚度 |
Study of the Critical Thicknees of In0.82Ga0.18As/InP |
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| ZHANG Tiemin,MIAO Guoqing,SUN Qiu,SUN Shujuan,FU Jun,FU Yunliang.Study of the Critical Thicknees of In0.82Ga0.18As/InP[J].Journal of Hainan Normal University:Natural Science,2011,24(1). | |
| Authors: | ZHANG Tiemin MIAO Guoqing SUN Qiu SUN Shujuan FU Jun FU Yunliang |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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