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在温度循环下对CdS/CdTe太阳电池的性能作了研究,测定了其I-V特性曲线,计算了串联电阻和并联电阻.结果表明:经温度循环后,串联电阻增加,并联电阻下降,导致转换效率下降,用ZnTe作背接触层可改善电池性能和其稳定性. 相似文献
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磷酸钙生物活性骨水泥的制备及其性能的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
分别用四种添加剂(含K+与Na+的磷酸氢盐水溶液)调和α-TCP/DCPD骨水泥系统,并将硬化物浸入37℃的生理盐水(0.9%)中,对不同添加剂和浸入时间的骨水泥硬化物进行了相成分、化学成分、显微结构与力学强度等分析,将骨水泥植入兔的股骨肌肉中进行了动物实验考察,再用光镜观察植入样品的组织学切片.结果表明,所研制的骨水泥最大抗压强度可达15MPa,且具有良好的生物相容性和生物活性.着重探讨了骨水泥抗压强度与浸入时间和相成分等的关系. 相似文献
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采用磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了衬底温度和Ar气流量对ZnS薄膜质量的影响.利用表面轮廓仪测量了薄膜的厚度,计算了薄膜的沉积速率.使用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了禁带宽度.结果表明:所有制备的ZnS薄膜均为闪锌矿结构,所有样品在(111)方向具有明显的择优取向,沉积速率随着村底温度升高而降低,薄膜有较大的内应力,导致禁带宽度变窄.衬底温度为300℃时,薄膜的结晶质量最好.随着Ar气流量的增加,沉积速率增大,但薄膜的结构和光学性能都没有明显的变化. 相似文献
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单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质 总被引:1,自引:1,他引:0
利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件. 此外,对300 ℃和400 ℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致. 这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池. 相似文献
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对近空间升华法制备的大面积(30*40cm2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C~V、I~V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响。结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加。在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰。随着退火温度的增加,电导激活能降低。经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率。 相似文献
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磁控溅射法制备纳米级ZnS薄膜及其性能研究 总被引:3,自引:2,他引:1
用磁控溅射技术在玻璃衬底上获得了取向单一的纳米级ZnS薄膜. 研究了衬底温度对薄膜结构的影响. 得出400 ℃时沉积的薄膜结晶最好,为六方纤锌矿结构,在可见光范围内有较高的透过率,其光能隙为3.81 eV. 相似文献
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将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu复合薄膜应用于CdS/CdTe太阳电池, 作为碲化镉与金属背电极间的过渡层. 比较了有无ZnTe复合背接触层的两种CdTe电池的光、暗电流-电压(I-V)曲线和电容-电压(C-V)特性, 并研究了本征ZnTe薄膜厚度和背接触层的退火温度对电池性能的影响. 结果表明, 有复合背接触层的CdTe光伏器件, 能够消除暗I-V曲线饱和与光、暗I-V曲线交叉现象, 且填充因子在没有高阻透明薄膜的情况下达到了73%. 结合CdTe电池的能带图讨论了其中的原因. 相似文献