| 单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质 |
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| 引用本文： | 孟奕峰,黎兵,冯良桓,李愿杰,黄杨,王洪浩,刘才,颜璞.单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质[J].四川大学学报(自然科学版),2010,47(3):611-614. |
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| 作者姓名： | 孟奕峰 黎兵 冯良桓 李愿杰 黄杨 王洪浩 刘才 颜璞 |
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| 作者单位： | 四川大学材料学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究与发展计划 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件. 此外,对300 ℃和400 ℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致. 这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射法 ZnS薄膜 单带差超晶格 太阳电池 |
Preparation and performance of ZnS thin films used in single offset superlattice |
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| MENG Yi-Feng,Li Bing,FENG Liang-Huan,LI Yuan-Jie,HUANG Yang,WANG Hong-Hao,LIU Cai,YAN Pu.Preparation and performance of ZnS thin films used in single offset superlattice[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2010,47(3):611-614. |
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| Authors: | MENG Yi-Feng Li Bing FENG Liang-Huan LI Yuan-Jie HUANG Yang WANG Hong-Hao LIU Cai YAN Pu |
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| Institution: | Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University;Deparment of Materials, Sichuan University |
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