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| 石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征 | |
| 引用本文： | 何绪林,张静全,冯良桓,武莉莉,李卫,曾广根,雷智,黎兵,郑家贵.石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征[J].中国科学:信息科学,2010(12):1509-1513. |
| 作者姓名： | 何绪林 张静全 冯良桓 武莉莉 李卫 曾广根 雷智 黎兵 郑家贵 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都610064 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（“863”计划）（批准号：2003AA513010）资助项目 |
| 摘 要： | 本文测试了掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱,计算得到电池中存在的影响电池性能的缺陷能级及其俘获截面.掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池中存在三个缺陷能级,其位置Et-Ev分别约为0.34,0.46和0.51eV,对应的俘获截面分别为2.23×10-16,2.41×10-14,4.38×10-13cm2. |
| 关 键 词： | CdTe 太阳电池 导纳谱 深能级缺陷 |
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