Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

电泳沉积羟基磷灰石生物陶瓷涂层的研究

用异丙醇作为分散介质，对电泳沉积羟基磷灰石生物陶瓷涂层进行了系统研究，经过制备稳定的悬浮液、电泳沉积，高温烧结等过程，在Ti6A14V合金上得到表面均匀的羟基磷灰石生物陶瓷涂层，用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）等技术对羟基磷灰石颗粒的物相和沉积层的表面进行了表征，研究了电泳时间与电泳沉积量和电流密度，电泳沉积量和电泳电压之间的相互关系，并讨论了这些实验参数对电泳沉积过程的影响。     

陶瓷蜂窝载体表面Ce-Zr-O固溶体涂层的表征

研究了在陶瓷蜂窝载体表面直接涂载Ce-Zr-O固溶体涂层，采用XRD和Raman光谱对Ce-Zr-O固溶体涂层进行了表征，表明在陶瓷蜂窝载体表面形成了具有立方结构的Ce-Zr-O固溶体，高温焙烧有利于固溶体的形成．TPR结果表明，该固溶体涂层的形成使得还原温度降低。     

压片机加压机构方案设计及运动分析

压片机是将陶瓷干粉压制成直径为34mm、厚度为5mm圆形片坯的装置，阐述了压片机加压机构设计过程，并应用C语言程序对运动进行了分析。     

宏微驱动双连杆柔性臂系统建模与最优控制

以宏微双重驱动的双连杆柔性臂机器人为背景,提出了对刚性部分和柔性部分分别建模的方法,通过两部分的叠加实现对柔性臂的描述,其优点是系统总的模型简单且易于同时考虑多个振动模态;提出了以柔性臂末端二次型跟踪误差为性能指标,通过极大值原理同时求解伺服电机驱动力矩和压电陶瓷驱动电压的方法;最后给出了柔性臂在双重驱动控制下的计算机仿真结果.     

内置蜂窝陶瓷的气升式内循环生物反应器I.水力学特征及其影响因素

在鼓泡塔式(BC)和气升式内循环(IAL)生物反应器的基础上，于内循环导流管中间安装了蜂窝陶瓷载体，构成了带有蜂窝陶瓷载体的气升式内循环(IAL—CHS)生物反应器。用示踪技术测定了流体在BC、IAL和IAL—CHS反应器内的停留时间分布，并用组合模型建立了描述反应器中流体停留时间分布的数学模型。比较研究了这3种形式的生物反应器的水力学特性，探讨了曝气量对停留时间分布的影响。结果表明，相同条件下，相比BC和IAL，IAL—CHS生物反应器提高了反应器内完全混合区的比例，减少了流体走旁路的比例。曝气量越大，完全混合区越大，而流体走旁路的比例越小。     

莫来石纤维对钛酸铝陶瓷力学性能的影响

利用X射线衍射、扫描电镜、热膨胀系数、抗弯强度和气孔率测试等手段，研究了莫来石纤维对钛酸铝陶瓷力学性能的影响。实验结果表明莫来石纤维使钛酸铝陶瓷抗弯强度得到较大增加的同时，复合陶瓷承受的形变也大大提高了，其机理主要是纤维从基体中的拔出。但莫来石纤维过量时，将导致复合陶瓷成型的困难和抗弯强度的降低。而烧结温度超过1500℃时，纤维将粉化而失去其对钛酸铝陶瓷的补强增韧作用。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

贵金属/陶瓷催化膜制备:溶胶粒子表面修饰技术

80年代初,非对称中孔γ-Al_2O_3陶瓷膜成功地商用.由于无机膜具有高温热稳定性和表面可修饰性,从而引起了人们对无机膜反应器的广泛兴趣与重视.近年来无机膜反应器的研究工作主要集中在脱氢反应、加氢反应和选择氧化等催化反应上.无机膜在膜反应器中可以起分离作用,除去反应区的产物之一,从而提高反应的转化率;也可以用来调控反应区中反应物之一的加入计量和反应物的接触,改善反应的选择性.     

脉冲激光沉积(PLD)晶态4H-SiC薄膜

<正>碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。