化学气相沉积技术和无机膜

综述了化学气相沉积技术在无机分离膜领域中的应用和发展近况，报道了作者所在实验室近几年来的研究进展，并从无机分离膜的超薄化、实用化出发，列举了该领域有待进行的科学和技术基础研究课题。     

不同方法制备的Ce0.8Sm0.2O1.9(SDC)性能对比

分别采用沉淀法、凝胶辅助的固相反应法和甘氨酸-硝酸盐法制备了钐掺杂的氧化铈材料,结果表明,用后两种方法制备的粉体能够满足固体电解质的要求,其中,凝胶辅助的固相反应法制备的粉体粒度约为20~100nm,甘氨酸-硝酸盐法制备的粉体粒度更小,表现为许多超细纳米颗粒的团聚体.二者烧结体的致密度分别可以达到95%和97%,800℃时的电导率分别为0.071S/cm和0.074S/cm.     

银离子导体在透射电镜(TEM)观测过程中的银丝生长

1 引言最近,对纳离子导体NASICON(Na Superionic Conductor),即Na_3Zr_2Si_2PO_(12)的Ag~+交换试样(AgSICON)进行电镜观察,发现样品颗粒表面喷吐出丝状物质的奇异现象。经过仔细的观测、拍照记录并利用电子衍射和X射线能谱仪进行结构与成分分析,结果表明,这是银离子导体在电子束作用下的银丝生长。该现象的成因是银离子导体     

纳米级钇稳定氧化锆的制备与电性能表征

以共沸蒸馏过程辅助的化学方法制备了纳米级的钇稳定氧化锆（YSZ）粉体,结果表明共沸蒸馏的方法有效地实现了沉淀的完全脱水,从而阻上了颗粒间的硬团聚,X射线衍射研究指出共沉淀物转变为方立相的最低温度为600度,X射线衍射谱和高分辨透射电镜照片均显示在600度下灼烧得到的粉体的粒径为6nm,而由BET比表面积测定计算所得到的粉体粒径则为11nm,从而确定团聚为软团聚,YSZ样片在1500度下烧结5h得到相对密度为94．8％的烧结体,以交流阻抗谱技术研究在空气和氩气气氛中材料的电导率,在9000度空气气氛下测得的电导率为056S.cm^-1,而在氩气气氛下可达到0067S.cm^-1显著高于用单纯共沉淀法制备的YSZ样片的电导率（0．009S.cm^-1)以用Plaster casting法制备的电导率（0.028S.cm^-1）,而电导活化能为0．88－0．89eV,较文献报导值低。     

[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCl)_x系的混合晶界效应

本文通过混合晶界效应模型,对[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCL)_x体系中当O.05≤x≤0.22时为x≤0.03(主相为3PbCl_2·2PbO)和x≈0.25(主相为Pb(OH)Cl型物相)两个高导电相的混合相,且电导率低下的现象进行了说明,并通过解析阻抗谱做了验证.     

压片机加压机构方案设计及运动分析

压片机是将陶瓷干粉压制成直径为34mm、厚度为5mm圆形片坯的装置，阐述了压片机加压机构设计过程，并应用C语言程序对运动进行了分析。     

无机新晶体与化学气相淀积

物质的单晶体往往具有许多宝贵的性质,从古代晶莹夺目的王冠宝石到今天激光、红外、电子计算机等新技术的神妙功能,无不是单晶材料在炫耀自己的奇能异彩.可以毫不夸张地说,种类繁多、功能各异的无机晶体和其他许多新型材料一起组成了现代科学技术的物质基础.为适应四个现代化的需要,在改善和揭示现有晶体的性能,发掘其新应用的同时,必须不断地致力于新晶体的研制和探索.     

GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅰ)Ga-HCl-NH_3-Ar系统的热力学分析

应用扩散控制一附面层理论模型对Ga-HCl-NH_(?)-Ar开管气流系统进行了热力学分析。结果指出,GaN的理论淀积速率及其与反应条件——反应物分压,淀积温度、气体流速等的关系和大部分文献结果基本吻合,表明该模型反映了这一淀积系统的主导特征。有的实验事实不能用这一理论分析介释,意味着体系中动力学因素起着某种关键作用,有待进行深入的动力学研究和机理探讨。     

Ag-β″-Al_2O_3分解电压和电解过程中电学行为的研究

本文测定了Ag-β″-Al_2O_3材料在18℃时的分解电压。以交流复阻抗谱技术研究了不同电分解时间试样的电学性能。实验结果发现晶粒电导率、晶界电导率均随电解时间而增大。