首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12篇
  免费   0篇
综合类   12篇
  2019年   1篇
  2014年   1篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
  2008年   1篇
  2003年   2篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果表明:阻挡层厚度的变化能改变光生载流子的寿命,当NTO薄膜厚度为90 nm时,光生载流子寿命最高,阻挡层抑制光生载流子复合的效果最好; FTO/NTO复合薄膜的可见光透过率可达84%以上,同时能满足正向电子传输的导电要求.  相似文献   
2.
ITO透明半导体膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。  相似文献   
3.
根据实际教学经验,研究了非机类机械设计基础课程的教学方法,并提出了重视新内容的引入、坚持理论与实际相结合、强化多媒体课件中的动画演示等相应的教学措施.  相似文献   
4.
溶胶凝胶法制SiO2底膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了采用溶胶凝胶法制备SiO2底膜的方法,探讨了各种因素对溶胶凝胶制作和SiO2底膜质量的影响.  相似文献   
5.
本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理,探讨并提出了ITO膜方块电阻的测试条件。  相似文献   
6.
以郑州大学课外创新实验为平台,结合创新课题"Li4Ti5O12/SnO2复合纳米线的制备及电化学性能研究"的具体实施情况,探讨创新实验对大学生综合素质的影响.通过以学生为主体的团队合作模式,充分调动了学生参与科研的主动性和积极性,在培养其创新能力、动手能力及沟通能力等方面取得较好效果.  相似文献   
7.
无机含氧酸的结构是影响其性能的最重要的因素。本文归纳、总结了常见无机含氧酸的结构特点和成键特征,并探讨了无机含氧酸结构对其酸性和氧化能力的影响。  相似文献   
8.
ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .  相似文献   
9.
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的低温工艺,在柔性基片上镀制ITO薄膜,研究了氧氩体积流量比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并得到了可见光透过率大于80%,电阻率小于3.0×10-4Ω.cm的ITO薄膜.  相似文献   
10.
采用直流磁控溅射ZAO陶瓷靶的工艺,在玻璃衬底上成功地镀刺了ZAO透明半导体膜,获得了电阻率6×10^-4Ωcm和可见光透过率85%以上的ZAO薄膜最佳光电特性参数.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号