| ITO膜方块电阻测试条件的探讨 |
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| 引用本文： | 林钰,齐英兰,辛荣生,贾晓林,仝奎.ITO膜方块电阻测试条件的探讨[J].河南教育学院学报(自然科学版),2000,9(2):34-36. |
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| 作者姓名： | 林钰 齐英兰 辛荣生 贾晓林 仝奎 |
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| 作者单位： | [1]河南教育学院化学系，河南郑州450003 [2]河南省轻工业职工大学，河南郑州450002 [3]郑州大学建工学院材料系，河南郑州450052 |
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| 摘 要： | 本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理，探讨并提出了ITO膜方块电阻的测试条件。
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| 关 键 词： | 半导体材料 ITO（铟锡氧化物） 方块电阻 测试条件 |
Discussion of the Measurement Condition for ITO Film Sheet Resistivity |
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| LIN Yu,QI Yinglan,XIN Rongsheng,JIA Xiaolin,TONG Kui.Discussion of the Measurement Condition for ITO Film Sheet Resistivity[J].Journal of Henan Education Institute(Natural Science Edition),2000,9(2):34-36. |
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| Authors: | LIN Yu QI Yinglan XIN Rongsheng JIA Xiaolin TONG Kui |
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| Abstract: | According to the measurement principle of thin film sheet resistivity of semi-conductor material, this paper discuss and put forward the measurement condition of ITO film sheet resistivity. |
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| Keywords: | Send-conductor material ITD(indium-tin oxide) sheet resistivity measurement con- dition |
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