用RAS模型估算半磁半导体Cd1—xMnxTel富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富磅溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的，本文用缔合规则模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较。     

稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应

用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。     

Ⅱ—Ⅵ族三元合金半导体ZnS1—xTex薄膜的俄歇电子能谱化学位 …

对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。     

有限时滞差分方程的一致渐近稳定性

考虑如下时滞差分方程ｘ⒎ｎ ＋ １⑹－ ｘ⒎ｎ⑹＝ Ｆ⒎ｎ⑿ｘｎ ⑹其中 Ｆ⒄ Ｚ＋ × Ｃｄ ⒎ Ｍ⑹→ Ｒ⑿ Ｃｄ⒎ Ｍ⑹＝ ｛φ⒄ Ｚ⒎－ ｋ⑿０⑹→ Ｒ｜‖φ‖≤ Ｍ｝．获得了零解一致稳定与一致渐近稳定的充分条件     

（AlxGa1—x）yIn1—yP表面氧化特性

利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对（ＡｌｘＨａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线     

化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究

利用溶胶－凝胶工艺和原位生长技术制备了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米复合材料，得到了ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄｘＨｇ－ｘＴｅ（ｘ＝１＝０．７）纳米微晶与多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃的复合材料。用ＸＲＤ研究了不同复合材料的结构特点，利用吸收光谱和透射光谱研究了复合材料的光学特性，发现纳米微晶的禁带宽度大于其相应体材料的禁带宽度，并且复合材料具有明显的非线笥光特性。用简并四波混频测试了样品的三阶非线性     

CVD 矩阵与 n-宽度的(p,q)问题

证明了ｄ２ｋ＝δ２ｋ＝ｄ２ｋ≥ｂ２ｋ，其中ｄ２ｋ、δ２ｋ、ｂ２ｋ分别表示Ａ（ＢＭｐ）在ｌＮｇ中的ｋｏｌｍｏｇｒｏｖ、线性、Ｂｅｒｎｓｔｅｉｎ型２ｋ－宽度，ｄ２ｋ表示ＡＴ（ＢｌＮｑ′）在ｌＭｐ′中Ｇｅｌ′ｆａｎｄ型２ｋ－宽度，这里Ａ（ＢＭｐ）＝｛Ａｘ：ｘ∈ＡｌＭｐ，‖ｘ‖ｐ≤１｝，其中Ａ是一个Ｎ×Ｍ的ＣＶＤ矩陈（Ｎ＞Ｍ＝ｒａｎｋＡ，Ｍ是奇数），１ｐ＋１ｐ′＝１，１ｑ＋１ｑ′＝１（１≤ｑ≤ｐ＜＋∞，ｐ≠１）．     

铅铈和常用板栅合金在硫酸溶液中生长的阳极膜的比较

用伏安法研究在４．５ｍｏｌ．ｄｍ＾－３Ｈ２ＳＯ４溶液中的Ｐｂ－Ｃｅ（ｘ（Ｃｅ）＝１％）合金上生长的阳极膜,并与Ｐｂ－Ｓｂ（ｘ（Ｓｂ）＝７％）和Ｐｂ－Ｃａ－Ｓｎ（ｘ（Ｃａ）＝０．５％,ｘ（Ｓｎ）＝１．５）两常用板栅合金的作比较,实验结果表明,Ｐｂ－Ｃｅ合金上生长的α－ＰｂＯ２和Ｐｂ（ＩＩ）氧化物的生长速率均显著低于Ｐｂ－Ｃａ－Ｓｎ的,但高于Ｐｂ－Ｓｂ,也即Ｐｂ－Ｃｅ的耐腐蚀性优于Ｐｂ－Ｃａ－Ｓｎ,但     

CO2激光器内工作气体再生的催化剂研究

本研究采用共沉淀方法制备出四种催化剂,ＣｕＭｎ１．３６Ｏｘ、Ｃｅ／ＣｕＭｎ１．３６Ｏｘ、Ａｕ／ＣｕＭｎ１．３６Ｏｘ和Ａｕ－Ｃｅ／ＣｕＭｎ１．３６Ｏｘ。在２００℃时,对催化剂进行 了６ｈ的氧所氛处理;用扫描电镜和比表面测定对催化剂进行了表征;考察了催化剂对ＣＯ氧化反应的催化活性。结果表明,在ＣｕＭｎ１．３６Ｏｘ中掺入稀土元素Ｃｅ大大增加了催化剂的比表面,Ａｕ在催化剂表面的分散度越高其活性越好,氧气氛     

r重gcd－closed集合上的LCM矩阵

设Ｓ＝｛ｘ１，ｘ２，…，ｘｎ｝为一个ｎ元正整数集合．Ｂｏｕｒｑｕｅ和Ｌｉｇｈ猜想最大公因子封闭（ｇｃｄ－ｃｌｏｓｅｄ）集合Ｓ上的最小公倍（ＬＣＭ）矩阵［Ｓ］ｎ是非奇异的．作者引进ｒ重ｇｃｄ－ｃｌｏｓｅｄ集合来研究上述猜想．证明了当ｎ≤５时上述猜想成立．当ｎ≥６时，（ｎ－５）重最大公因子封闭集合Ｓ上的ＬＣＭ矩阵［Ｓ］ｎ是非奇异的     

不锈钢化学着色的条件和控制

本文通过试验得出了奥氏体不锈钢化学着色的工艺条件,找出了着色过程中成份和pH的变化规律。自选添加剂的加入改善了着色膜的质量和工艺条件。初步判明不锈钢着色膜系半导体膜。不锈钢经着色、硬化后耐蚀性有所提高。     

ZnSe纳米颗粒的制备及光学性能研究

以硝酸锌和硒粉为源物质,以乙二醇和氢氧化钠的水溶液为反应介质,采用水热法制备了ZnSe纳米颗粒,利用差热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行热稳定性、结构、形貌和光学性能表征.差热结果表明ZnSe在常温下具有一定稳定性,直到450℃以上时在空气中可转化为ZnO纳米材料.XRD和SEM研究结果表明,纳米颗粒具有闪锌矿结构并且随着反应时间的增加颗粒尺寸有所增大.PL测试显示近带边发射峰较强,这说明产物的结晶状况良好,并且具有较好的光致发光性能.     

Ag2S纳米-微米材料的可控合成及其表征

室温下通过简单的一步反应的方法成功地制备了辐射条状、纳米线、蠕虫状等形貌的Ag2S纳米-微米材料.研究表明:反应物Ag 和S2-的浓度以及溶液的碱性强弱都对Ag2S形貌有明显影响;在反应物溶液中加入一定量的氨水可以起到控制Ag 浓度和调节最初反应溶液酸碱度的作用.通过简单控制反应物浓度以及溶液酸碱性可实现Ag2S纳米-微米材料的形貌可控合成.     

p~+/p—Si的光电化学及电化学性能的研究

本文将外延单晶p~+/p—Si 的光电化学与电化学性能联系起来进行了研究.主要为电极在1NKOH 溶液中的表面氧化、还原以及对其光电化学性能的影响,并对电极腐蚀进行了初步探讨。     

MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征

采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.     

二氧化钛光催化活性及其改性研究

介绍用于光催化氧化半导体催化剂的作用原理,综述有关贵金属沉淀、复合半导体、掺杂稀土元素、纳米TiO2等半导体,并对其原理和制备作了简要说明。     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

Ga1-xAlxN/GaN量子点红外吸收谱

用有效质量理论对Ga1_xAlxN/GaN量子点的红外吸收谱进行研究.采用差分方法求解量子点的薛定谔方程,给出量子点的导带子带能谱.计算发现量子点的基态束缚能随Al分数x的增加而增大,随其半径的增大而减小.计算量子点的吸收系数发现,量子点的体积大小严格控制着它的光子吸收特征,量子点半径变小时,其吸收峰发生蓝移,相应吸收峰的峰值也就越大,研究结果对于设计高性能的红外光电探测器和激光器具有指导意义的.     

非水相合成在非氧化物半导体纳米晶材料制备中的应用进展

半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相合成相对于已报道的其它方法而言,具有很多优点,如:单分散性好,粒径容易控制、产物的结晶度高等,而越来越被研究者关注.本文对近几年关于半导体纳米晶材料的非水相合成方法进行了综述.     

Raman scattering and photoluminescence of Fe-doped ZnO nanocantilever arrays

Single crystalline Fe-doped ZnO nanocantilever arrays have been synthesized by thermal evaporating amorphous Zn-Fe-C-O composite powder. The characterizations of composition, structure and phonon spectrum properties of the nanocantilevers have been performed. Arrays of uniform, perfectly aligned and single-crystal nanowires have been observed by electron microscopy. The results of the X-ray photo-electric spectra and the Raman spectrum provide the evidence that Fe is incorporated into the ZnO lattice at Zn site. Abnormally, the room temperature UV emission band of Fe-doped ZnO nanocantilevers disappears and the green one has a large red-shift, and the intensity of the green emission is strongly quenched because the Fe^3＋ enters the ZnO crystal lattice.