Te溶液生长半磁半导体Cd1—xMnxTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ＾２，厚度￣０．４ｍｍ，分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件。     

露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压

露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研究．无论从熔体生长晶体还是液相外延...     

InSb1-xBix的液相外延

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.     

用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．     

用RAS模型估算半磁半导体Cd1—xMnxTel富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富磅溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的，本文用缔合规则模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较。     

关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论

从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析,表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中,一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化问题,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究,表明采用Ｓｎ源保护成功地解决了硅的氧化问题。     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

汽相Cd压控制下熔体生长CdTe晶体的研究

根据测定的CdTe熔体平衡蒸汽分压与温度关系,通过汽相Cd压控制熔体组成生长CdTe晶体,有效地控制了晶体组成对化学计量比的偏离,且晶体完整性、电学与光学特性有了明显改善.测定的若干性能达到或超过国际上报道的最佳值.国内有关单位用以制作的温度传感器和液结光化学电池以及用作CdTe热壁外延衬底,均取得满意结果.     

Te溶液生长半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ_（１Ｍｎ_ｘＴｅ时固－液界面的稳定性．并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用ＣｄＴｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了ＣｄＭｎＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ￣２，厚度～０．４ｍｍ．分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件．