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Cd1-xZnxTe熔体平衡蒸汽压的热力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Cd1 - x Znx Te熔体组元平衡蒸汽压数据是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数 .在光吸收法测定 Cd- Te熔体平衡蒸汽压的基础上运用热力学关系估算了 Cd1 - x Znx Te熔体的平衡蒸汽压 ,并在所得组元平衡分压下进行了Cd1 - x Znx 合金源控制下的 MVB法熔体生长 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶体 ,获得的晶体电阻率为 9.3× 10 9Ω· cm,各方面性能均明显提高 ,可见此热力学估算是精确可行的 . 相似文献
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采用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和电流-电压(current-voltage,Ⅰ-Ⅴ)曲线等测试方法,分析了CdZnTe晶片两步溶液法钝化工艺参数对晶片的表面形貌、表面成分和电学性能的影响。研究发现,两步溶液法的最佳钝化时间为30 min,此时漏电流接近最小。CdZnTe钝化后经100℃、60 min的热处理,金相和SEM显示钝化层表面的形貌更为均匀致密,XPS深度剖析表明化学反应中间产物分解较为完全,TeO_2含量增多,Ⅰ-Ⅴ测试显示热处理后漏电流减小较为明显,有效提高了探测器的性能。 相似文献
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为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled, LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot, QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12 mA/量子点层; p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio, SMSR)高达51 dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性. 1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值. 相似文献
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本文对影响InGaAsP/InP激光器阈值电流密度的晶格失配,掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论.从Kuphal和Arai模型着手计算了与InP晶格匹配InGaAsP的熔体组成.并从实验上进行了仔细调整.获得了激射波长为1.3μm.失配量≤1.4×10-3的DH结构LPE工艺条件.探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响;提出采用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,避免了纵向p-n结偏位现象的出现.获得了室温下阈值电流最低小于25mA、在60mA直流驱动下单面光输出功率高达12.5mW、激射波长为1.3μm的InGaAsP/InPDC-PBH激光器. 相似文献
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利用红外(infrared, IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared, FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相. 讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因, 及其对晶体中位错密度(etch pit density, EPD) 和红外透过率的影响. 实验结果表明: 沿生长轴方向, Te 夹杂相密度增大, 相应的位错密度也增大; 红外透过率随Te 夹杂相密度的增大而减小, 生长末端晶体的透过率低至45%. 相似文献
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