高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

Cd1-xZnxTe熔体平衡蒸汽压的热力学研究

Cd1 - x Znx Te熔体组元平衡蒸汽压数据是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数 .在光吸收法测定 Cd- Te熔体平衡蒸汽压的基础上运用热力学关系估算了 Cd1 - x Znx Te熔体的平衡蒸汽压 ,并在所得组元平衡分压下进行了Cd1 - x Znx 合金源控制下的 MVB法熔体生长 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶体 ,获得的晶体电阻率为 9.3× 10 9Ω· cm,各方面性能均明显提高 ,可见此热力学估算是精确可行的 .     

H2S电化学气体传感器的敏感特性评价

利用六西格玛(six sigma)统计工具对电化学硫化氢(H₂S)气体传感器的气体敏感特性进行了研究, 并运用Minitab 软件对测试数据进行了系统分析. 结果显示, 所测电化学气体传感器对H₂S气体响应良好, 灵敏度平均值为0.82 μA/10⁻⁶H₂S. 在H₂S 传感器的量程范围(0∽100×10⁻⁶)内, 传感器的响应输出值与H₂S 气体体积分数呈现良好的线性关系, 相关指数R_Sq=99.9%; 传感器对气体的响应速度较快, 响应时间T₉₀ < 20 s. 同时讨论了温度变化对H₂S 传感器灵敏度和响应输出值的影响.     

关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论

从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析,表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中,一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化问题,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究,表明采用Ｓｎ源保护成功地解决了硅的氧化问题。     

影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究

本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．