薄膜ZnS：Er^3＋的近红外发光

报道了用分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光特性，用Ｘ射线衍射技术对薄膜的微观结构进行研究，指出了掺铒薄膜发光与薄膜微结构的关系．     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．     

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．     

硫化锌晶格振动对稀土发光中心激发态的影响

观察掺铒硫化锌膜在直流场致发光中,温度变化对发射谱线线宽、强度、峰值位置及激发态寿命的影响。进而探讨基质晶格振动诱发稀土发光中心多声子过程在场致发光中的重要性。     

溅射法制备ZnS∶Er~(3 )薄膜的微结构研究

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，研究薄膜微结构，发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势，掺杂的铒有表面集聚现象，这将对薄膜的激发态产生影响．     

铒浓度对ZnS薄膜DCEL的影响

用直接掺杂法和ＸＰＳ谱法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ中铒离子的体浓度及纵向分布对器件发光的影响，测量了Ｅｒ￣３＋的￣２Ｈ＿ｌｌ／ｌ２，跃迁与温度的关系，对硫化锌薄膜器件中Ｅｒ￣３＋发光的电激发过程提出新见解．     

溅射法制备ZnS：Er^3＋薄膜的微结构研究

利用射溅射控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术。研究薄膜微结构，发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势，掺杂的铒有表面集聚现象，这将对薄膜的发态产生影响。     

新型蓄能发光材料

只需日光光照5分钟就能发光12小时或日光灯下照射5分钟,在黑暗中可持续发光20多小时,有效余辉12小时以上,亮度超出传统硫化锌夜光粉数倍。目前,一种可替代传统硫化锌夜光粉的新型蓄能发光材料在山东省莱州市玉风蓄能发光材料有限公司研制成功,并己投入批量生产,该公司已收到铁道部等多     

Ce3+和Tb3+共激活的硫化物发光材料的合成及发光性质

以硫化锌为基质，Ce和Tb为激活剂，在1100℃合成了发绿光且余辉时间达5min以上的光致发光材料。研究了样品的荧光光谱、物相及形貌，结果表明：在高温合成过程中，硫化锌从闪锌矿结构(β-ZnS)转变为纤锌矿结构(α—ZnS)，在一定量的硼酸存在时，这种转化很完全，且较好地抑制了氧化锌的生成，Ce和Tb进入硫化锌晶格，Ce敏化Tb发光。     

掺铒硫化锌薄膜场致发光光谱中~4I_(11/2)→~4I_(15/2)跃迁的研究

为确定掺饵硫化锌薄膜直流场致发光960—1020nm线群的辐射,测量Er~(3+)主要光谱线相对强度随外加电压变化的规律,主要光谱线的强度比值随外加电压的变化,以及器件老化前后各谱线强度和结电容的减少。根据场致发光的碰撞激发理论,认为ZnS:Cu、Cl、Er薄膜,DCEL发射的960—1020nm谱线群为~4I_(11/2)→~4I_(15/2)跃过。     

The ultraviolet and blue luminescence properties of ZnO:Zn thin film

The ultraviolet (UV) and blue luminescence of Zn-rich zinc oxide thin film deposited by electron-beam evaporation have been investigated at room temperature (RT). We observed that the UV and blue electroluminescence (EL) emission band centered around 480 nm which is blue shifted in comparison with that of the ZnO thin film prepared by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP MOCVD). The UV emission is much stronger than blue emission in the photoluminescence (PL) spectra. The field-induced ionization of excited luminescent centers of ZnO:Zn thin film at high electric field and the difference between PL and EL are discussed. The experiments show that the ZnO:Zn thin film provides a hopeful new mechanism to obtain UV and blue emission.     

溅射法制备硫化锌薄膜的探索

利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变，揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征．     

TPD的传输与发光性质

研究了三苯基二胺（TPD）在电致发光中的传输与发光性质。观察到真空积淀的TDP薄膜光谱的达维道夫（Davydov）劈裂,用原子力显微镜（AFM）比较了退火前后TPD薄膜的表面形貌,测定了退火后TPD单层EL器件所发射的光谱,分析了在双层EL器件中TPD的电荷传输作用,从而证明了双层界面上电子空穴的复合得到增强。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的橙色电致发光器件的研究

报道了采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙色电致发光器件(TDEL).介绍了器件的制造工艺,测量了器件的电致发光光谱、阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压.     

硫化锌薄膜直流电致发光能量传递机制的研究

通过对所研制的ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件的电致发光衰减特性及短脉冲激发下样品发光特性的测量，发现能量传递现象。提出了激活能量由铜中心或其它自激活中心向Ｅｒ＾３＋发光中心传递的模型，很好地解释了实验结果。     

蒸发条件对Znq2成膜质量及电致发光性能的影响

采用８－羟基喹啉锌为发光材料制备了不同蒸发条件下的薄膜样品和单层电致发光器件，利用扫描电子显微镜研究了Ｚｎｑ２薄膜的表面形貌，分析了蒸发条件对成膜质量和器件性能的影响。     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

Luminescence Property of Phosphor Gd 3Ga 5O 12 :Ag

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发学材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析．并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件．对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试．得出器件亮度大约为２尼特     

a-SiO_xN_y薄膜的红光发射能级

在ＰＥＣＶＤ法制备的ａ－ＳｉＯｘＮｙ薄膜中首次观察到分立能级的红光发射,采用荧光激发谱研究了发光能级与其它能级之间的相互关系,建立了产生光跃迁的能级模型．     

Photoluminescence and Electroluminescence on Nanosilicon Deposited by Yb

Dynamics of photoluminescence（ PL） and electroluminescence（ EL） on nanosilicon deposited by Yb is investigated. The sharper PL peaks near 700 nm are observed on silicon quantum dots（ Si QDs） coated by Yb. The enhanced EL peaks in the wavelength region from 1 200 nm to 1 600 nm are measured on silicon film deposited by Yb. It is discovered that the EL intensity enhances and the peaks number increases with increasing number of Si-Yb layers. The emission wavelength could be manipulated into the window of optical communication by SiYb bonding on nanosilicon. Si-Yb quantum cascade and PIN hybrid light-emitting diode is designed to apply in optical communicating,which is suitable to be integrated on silicon chip.