瞬态记录仪输出信号的微机存储

TCH-4000S瞬态记录仪,能读取(0.05 μs～0.10 m s)×4096 的瞬间信息, 并保存在寄存器中, 后以不同的速率绘图或经D/A 转换输出,设计并行接口电路,编制软件,把寄存的数据在微机中存盘,为瞬态信息的研究提供捷径.     

农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析

运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.     

ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3 的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.     

GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W.     

农膜转光剂CaS：Cu，Mn的结构分析

运用X射线光电子能谱技术，证明CaS：Cu，Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在。锰是以二价的形式存在。测得荧光材料的透射光谱，理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生，透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂。     

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

农膜光转换添加剂微结构的分析

农膜中光下转换材料(光转换添加剂CaS∶Cu,Eu)使用高温固相反应法制备,运用X射线光电子能谱(XPS)和光荧光技术,对不同工艺条件下制备的材料进行研究,获得荧光材料工艺与稳定性、转光效率的信息,为光转换添加剂及其相关产业的发展提供参考.     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．