锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

半导体光电结构材料及其应用

半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.     

农业结构调整要做到未雨绸缪

<正> 目前,农村干部说得最多的,就是要求农民“结构调整”;而农民最头痛的是如何“结构调整”。调整结构的目的是提高农业的经济效益和增加农民收入,这本是好事,农民为什么会头痛呢?因为面对变幻莫测的市场,他们对究竟应种什么,养什么,心中无数。地方政府若任农民盲目的“赶行情”、“跟大户”,结果是“种啥啥多,养啥啥赔”;如果地方政府对市场也很生疏又代替农民拿主     

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.     

激光熔蒸制备纳米硅微粒的Raman分析

以流动气体(N2，Ar2)作为反应环境。利用开放式激光熔蒸系统。通过改变制备参数：熔蒸激光强度，流动气体种类及其流速，激光熔蒸时间，制备出一系列纳米硅样品．利用Raman光谱对在不同参数下所得到的样品表面形貌进行分析，可以看出，激光强度对生成的样品表面形貌有最直接的影响。并决定生成粒子的大小．而流动气体的种类则影响着沉积粒子的分布及其大小．流动的气体防止生成的纳米硅在开放系统中被氧化。而激光熔蒸时间对样品表面形貌的作用则表现的不是很明显．     

农村宅基地纠纷成因及解决方法

<正> 农村宅基地纠纷一直是影响农村稳定的热点和难点问题,特别是近年来,农村邻里间因水路、出路、通风、采光、伙墙等问题诱发的纠纷增多,甚至发展为恶性案件等。这些纠纷不仅影响农民的生产生活,也不利于农村的稳定。所以正确处理农村宅基地纠纷,是做好农村工作,保证农村稳定和发展的     

春栽葡萄"四要点"

1.选好苗木.从越冬贮藏的苗木中,选出根系不发霉,皮层不发皱,芽眼和苗茎刀削后断面鲜绿的苗木. 2.选定时间栽植.当气温稳定在15℃左右、20厘米土层地温稳定在12℃时栽植.     

农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析

运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.     

退火对NiCr薄膜阻值的影响分析

采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350 ℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小;而经过450 ℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.     

基于FPGA的以太网与E1网中的同步动态随机存储控制器设计

为了实现不同速率数据链路通信的相互转换,提出了一种利用现场可编程门序列(FPGA)设计并实现可对同步动态随机存储器(SDRAM)进行数据缓存并高速读写的控制器.该控制器采取状态机和令牌环机制,通过对SDRAM操作,实现了双向4路的跨时钟域的匹配.该控制器适用于任意长度的以太网帧和其他类型的数据相互转换.