半导体光电结构材料及其应用

半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.     

软科学与宏观决策

从1984年开始,在省、地区划委员会和省农科院玉米所的协助下,山西省偏关县第一次比较成功地把软科学应用于全县农业生产上,研究出了“偏关县农业总体设计’,并进行了全面地组织实施,已经取得了较为理想的效益。 一、对待农业大系统不能采用单因素决策方法 偏关县地处晋西北丘陵沟壑区,气候干旱,植被稀少,水土流失严重,生态环境恶劣,     

SbSn金属间化合物的机械合金化制备及其脱硫性能的研究

使用机械合金化法合成金属间化合物SbSn颗粒,并在合成的过程中添加适当助剂.考察了不同质量分数的助剂和不同球磨时间对金属间化合物SbSn颗粒比表面积大小的影响.在常温常压条件下,使用SbSn金属间化合物对汽油进行静态脱硫试验,考察了不同质量分数的助剂、球磨时间、处理时间及剂油比对脱硫率的影响.在施加直流电场的条件下,进行了动态脱硫试验,考察了电场的方向与大小对脱硫效率的影响.结果表明,动态操作时的脱硫率远高于静态操作时的脱硫率;电场的方向与大小对脱硫效率有显著影响;配以1.5 V的正电场对汽油中硫的单程脱除率最大可达38.9%.     

研究型大学在本科教育中开展研究性教学的思考

文章对研究型大学本科教育中实施研究性教学进行了探讨,指出了研究型大学开展研究性教学的必然性,并对如何构建研究型教学模式提出了几点建议。     

氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征

用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试，通过改变辉光放电前SiH4气体温度，研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响．结果表明，随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K，a-Si：H薄膜的短程有序和中程有序程度提高，折射率和吸收系数增强，同时，暗电导提高2个数量级．a—Si：H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因．     

180°层状压电介质中的剪切波

本文从克利斯托夫方程出发,通过理论计算,对180°层状压电介质中的剪切波传播特性进行了分折,得到其中一些规律,对 N 层结构,由于介面处剪切波的相互作用,存在 N-1条色散曲线。弯曲波是其基本模。对于奇数层和偶数层,其中的色散特性有些差异,奇数层随畴层增加由弯曲波向畴层渡过渡,而偶数层保持其弯曲波类型。色散曲线数的增加与层数的增加相等。存在截止频率,并且当 hk 趋于无穷大时,色散曲线收敛于同一个值。还与180°压电超格子及其它一些情况下的结果进行了比较,最后,通过实验证实了理论结果的正确性。     

铁电180°畴超格子中的子能带

研究了铁电180°畴超格子中畴子对导带底电子特性的影响.这种影响将导致在这种结构中形成电子子能带,从而影响材料的电子特性.电子有效质量的增加将使子能带向畴子低频所形成的子能带方向移动.     

铁电畴层波波场的界面激发分析

通过对180°铁电畴结构中铁电畴层波的格林函数分析,得到了铁电畴层波波场的界面激发的一般解.并从格林函数的极点导出了色散关系,进一步明确了畴层波的物理意义,指出沿表面或沿畴界面激发,铁电畴层波的振动模式相同,最后给出了用格林函数表示的畸层波位移场和电势场的解.     

保卫总路线 坚持高速度

在进行社会主义建设的时候,摆在我们面前最主要的问题,就是生产和建设速度的问题。用最高的速度在尽可能短的时间内,把我国建成一个具有高度发展的现代工业、现代农业和现代科学文化的伟大的社会主义国家,是我国六亿五千万人民的最根本利益和迫切的愿望。高速度发展社会主义国民经济,是迅速改变我国“一穷二白”面貌,尽快地提高社会主义生产力,壮大社会主义物质基础,提高人民生活水平,彻底战胜资本主