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用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试，通过改变辉光放电前SiH4气体温度，研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响．结果表明，随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K，a-Si：H薄膜的短程有序和中程有序程度提高，折射率和吸收系数增强，同时，暗电导提高2个数量级．a—Si：H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因． 相似文献
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