薄膜场致发光数字动态显示

研制成稀土掺杂ZnS薄膜直流场致发光数字屏并用于数字动态显示设备中。本文着重描述数字多路显示电路的设计和消除“串字”的方法;采用电容存贮显示,从周期平均亮度的计算,求得亮度与电路参数之间的关系式。     

ZnS:R_E~(3 )薄膜交流场致发光特性的研究

为研究ZnS中稀土杂质的光学行为,以单质Er掺杂制成ZnS:Er~(3 )薄膜交流场致发光器件。对其发射光谱、亮度—电压特性及极化效应等进行观测。结果表明:Er~(3 )虽处在不同的晶体环境中,但所得光谱位置却基本一致,只是相对峰值不同。亮度—电压logB～1/V~(1/2)曲线表明Er~(3 )中心的激发为电子碰撞激发,根根亮度与电压的关系可认为器件中存在非单一深度的陷阱。器件在单向脉冲作用下呈现亮度递减的现象,可用极化效应解释。     

瞬态记录仪输出信号的微机存储

TCH-4000S瞬态记录仪,能读取(0.05 μs～0.10 m s)×4096 的瞬间信息, 并保存在寄存器中, 后以不同的速率绘图或经D/A 转换输出,设计并行接口电路,编制软件,把寄存的数据在微机中存盘,为瞬态信息的研究提供捷径.     

室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射法研究了ＩＴＯ薄膜的结晶形貌和晶体结构     

掺铒硫化锌ACTFEL中深能级的测定

采用热激电流(TSC)法,在180-430K温度内对三种不同结构的ZnS:Er~(3+)交流薄膜电致发光(ACTFEL)样品,测得三个热激电流峰.经分析认为它们对应于ZnS:Er~(3+)层体内,ZnS:Er~(3+) Y_2O_3和ZnS:Er~(3+)-SnO_2界面处存在的不同深度的陷阱能级.估算其位置和密度,并讨论了实验结果.     

溅射法制备ZnS∶Er~(3 )薄膜的微结构研究

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，研究薄膜微结构，发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势，掺杂的铒有表面集聚现象，这将对薄膜的激发态产生影响．