I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度

本文介绍的测量MOS结构少数载流子寿命(τg)和表面产生速度(S)的I—t和Q—t法,其基本理论建立在C·R·Viswanathan的Q—t法的基础上.用国产仪器装备而成I—t和Q—t测量装置.本法在实验数据处理上较Q—t法简便而计算结果也更为准确.本法的测量结果与C—t法的测量结果有较好的吻合.     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

SOI高压器件热载流子退化研究

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。     

软金属压力接触快速C-V特性测量

本文讨论了In、Sn等金属作为电极进行压力接触MOS C—V测试的原理和方法,证明了氧化试片不进行背面腐蚀也能可靠地测量C—V特性.用这种方法,氧化试片出炉后只经过二十分钟的测试,即可得出介质膜中电荷密度等参数.     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

N2O氮化n—MOSFET‘s低温可靠性研究

通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ比较,调查了Ｎ２Ｏ氮化（Ｎ２ＯＮ）ｎ＝－ＭＯＳＦＥＴ‘ｓ在最大衬底电流ＩＢｍａｘ和最大栅电流ＩＧｍａｘ应力下的低温热载流子效应,结果表明,Ｎ２ＯＮ器件在低温就在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２Ｏ的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生。     

用C-V特性三点法测量表面电荷的原理和应用

本文提出一种利用MOS结构C—V特性测量Si—SiO_2介面固定表面电荷和可动离子的新方法。此方法的特点是:(1)不需要x—y函数记录仪;(2)测量程序简单,可快速求值;(3)测量结果准确,故最适宜作MOS集成电路工艺或平面工艺的监控手段。     

三氯乙烯参与氧化对MOS结构产生特性的影响

实践证明,适量三氯乙烯(C_2HCl_3)参与Si 热氧化,能改善Si—SiO_2系统的性质.同时发现,Si—SiO_2系统的一些特性随氧化时掺C_2HCl_3量的增大,先是改善而后转为劣化,存在最优工艺条件.对于产生这一情况的机理,未有进行深入的分析.另一方面,在MOS 型器件生产中,要求Si—SiO_2系统有良好的界面及体内产生特性.过去,往往     

微波光电导衰退测量少子寿命的新方法

少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材料的少子寿命.这种方法本质上是光电导衰退法.由于可做到无接触测试,它显示了较大的优越性.但是,为了把样品     

N_2O氮化n-MOSFET''''s低温可靠性研究

通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较,调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应．结果表明,Ｎ２ＯＮ 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２ Ｏ 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生．     

用于计算机辅助设计的晶闸管模型

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。 模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。 利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性。     

功率集成光激MOS控制交流多路开关模拟设计

介绍了一种新型功率集成光激MOS控制多路开关，它由双向晶闸管，MOS器件，光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离，可工作在交流状态，其通态压降低，约在1．5－3V之间，并对其阻断特性，电流特性，开关特性进行了全面的模糊分析，此开关适用于开发各种电源开关产品。     

一种新的双栅MOSFET物理模型

本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。     

输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触载流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型．模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的．研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响．结果表明：空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载流子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流．     

熔凝玻璃钝化的研究和应用

本文介绍了以电泳涂敷法制成的较薄玻璃膜为介质膜的金属—玻璃—半导体(MGs)结构的C—V特性测量,介绍了离子探针(IMA)测量玻璃膜的性质以及运用计算机进行曲线拟合。结果表明,Zn系玻璃膜的负电荷密度和其热成型过程的气氛和温度处理有关。Na~+离子主要聚集在玻璃膜内靠表面一侧,其随深度分布趋势接近指数函数。作者研制了内层玻璃钝化高压PN结器件,测量得到了良好的电特性。     

用MOS结构高频C—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷

本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题作了定性的分析。该测量方法具有简单易行、直观性强、计算方便等优点。适用于工厂中做一般的工艺监控。     

非平衡状态下MOS二极管中的反型层问题和LSCV方法

本文将文献(1)中提出的MOS二极管的简化物理模型应用于对非平衡状态的分析.首先导出了非平衡状态下反型层厚度及反型层内电位分布的解析表达式,进而对线性扫描的全过程进行了分析.得到了描述这一过程中有关物理量如表面电位、反型层厚度、耗尽层厚度等的计算公式.并讨论了这些物理量的变化与扫描速率的关系.最后讨论了用LSCV方法测量少数载流子产生速率的基本原理和计算公式.     

铝原子在多晶硅晶粒间界分凝的AES研究

多晶硅目前正广泛地应用于大规模集成电路、P-N结器件和太阳电池等领域之中,但是,由于多晶硅中存在着大量的晶粒间界,晶粒间界既是多数载流子输运的阻挡势垒,又是少数载流子的陷井和复合中心,所以,晶粒间界的存在严重地影响着多晶硅及其器件的电学特性。然而,有些掺杂原子在多晶硅晶粒间界的分凝会使多晶硅的物理和电学特性得到改善,并为找到降低和消除多晶硅晶粒间界的影响的方法指明方向。     

纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析

利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.     

利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ)

本文提出了利用恒流非稳态MOS特性测量硅外延层杂质分布的一种快速,简捷的新方法。此法由于没有反向传导电流的影响,所以,比利用肖特基势垒方法要精确些;由于克服了二倍费米势的限制,所以,比通常的MOS方法所测的范围要宽些;由于是一种直接测量,所以比一般MOS脉冲方法更快些。因此,用此法测量的外延层分布是实际载流子分布的一种较好的近似。这种方法适合于外延片生产自动化过程中的快速测量。