硅的优质氧化

一、概述我们知道在六十年代出现的半导体集成电路,是与半导体工艺的发展紧密联系的,其中最重要的是硅平面工艺的发展。硅平面工艺的第一个基本程序就是在硅的表面上通过氧化形成一层二氧化硅膜,这一薄层起着掩蔽扩散、介质隔离和表面保护等关键作用,因此它的质量与制成的器件的特性参数、成品率及可靠性等方面关系极大。六十年代以来,对二氧化硅及硅/二氧化硅界面方面的应用基础研究一直     

硅表面热氧化缺陷的产生及增长

一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(111)面的某局部范围外扦了一层原子,其四周被布格斯矢量为1/3(111)的偏位错所包围,是一种非本征堆垛层错,如(图1)所示,朝(111)面看去,这种层错是一园形,而在(100)则形成一特征线缺陷。其走向为〈110〉向。对于     

三氯乙烯参与氧化对MOS结构产生特性的影响

实践证明,适量三氯乙烯(C_2HCl_3)参与Si 热氧化,能改善Si—SiO_2系统的性质.同时发现,Si—SiO_2系统的一些特性随氧化时掺C_2HCl_3量的增大,先是改善而后转为劣化,存在最优工艺条件.对于产生这一情况的机理,未有进行深入的分析.另一方面,在MOS 型器件生产中,要求Si—SiO_2系统有良好的界面及体内产生特性.过去,往往     

砷在锗中的扩散

在恒定温度800℃之下进行了在砷的表面浓度范围为1.9×10~(18)-4.9×10~(19)原子/厘米~2,以及锗材料中含铟浓度范围为4×10~(14)-1×10~(17)原子/厘米~3的砷以气相散入锗的研究。扩散系数是利用测量扩散层的P-n 结方法来决定的,而杂质在扩散层中的浓度分布则用连续腐蚀法结合四探针电导测量来决定。发现扩散系数是随着P-型锗的纯度增加而逐渐增大,以及随着砷的表面浓度增大而增大(在N_s>2.3×10~8原子/厘米~3的区域),同时发现扩散层中砷的浓度分布显著地偏离于理论分布。对于体内杂质浓度以及砷的表面浓度对扩散系数所起的作用进行了一些讨论.     

a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．     

锗的阳极氧化

本文描述了对n一型锗进行阳极氧化的实验方法,得到了均匀的各种不同厚度的G_eO_2薄膜,采用了二种电解液:(1)醋酐65c.c.加上无水醋酸钠在醋酐中的饱和溶液5c、c;(2)醋酐500c、c加上21mgLiNO_3,实验证明采用后者得到较好的薄膜。膜的厚度测量是用光的干涉法得出。文章还叙述了阳极电位与时间的关系,氧化层厚度与时间的关系等规律,指出用这种方法可进行Ge扩散层中杂质浓度分布的研究,用适宜的条件,可以生长非常均匀的厚度达1000A以上的薄膜。     

射频溅射a—Si:H的光致发光光谱

在非晶硅a-Si∶H 中,由于长程无序性以及悬键、杂质缺陷的存在,使其迁移率隙中存在一定的局域态.这些态对材料的电学和光学性质均有很大的影响.光致发光谱能简易地提供有关局域态密度及其分布的很多有用信息,是研究非晶硅的一种很好的手段.另一方面,衬底温度是制备SP-a-Si∶H 的一个十分重要的工艺参数.本实验目的是研究SP-a-Si∶H 的光致发光特性,着重探讨衬底温度及退火对该特性的影响.     

射频溅射无定形硅性质研究

硅烷(SiH_4)辉光放电分解法(G D 法)和射频溅射法(S P 法)是制备氢化无定形硅(a-Si:H)薄膜的两种主要方法.前人采用GD 法制成禁带缺陷态密度很低的a-Si:H 薄膜,并成功地掺入磷和硼,制成n 型或p 型的无定形半导体材料.用SP 法制备的a-Si:H 薄膜,由于禁带缺陷态密度较大,早期被认为不适于作器件材料.近年来,通过改变沉积参数,使射频溅射无定形硅的性质有所改善.但是从光电导和光致发光强度说明,目前的工艺尚未能把缺陷态密度减到最小.这种a-Si:H 薄膜性质还不