用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO_2系统中可动离子的能量分布

本文是工作[1]的继续。利用MOS恒流瞬态谱线研究了Al-SiO_2-Si系统中可动离子的输运过程。考虑了Poole-Frenkel效应以后,分别用单能级介面陷阱模型和连续分布能级介面陷阱模型分析了可动离子的能量分布,得到了相应的解析式。 实验结果表明,所得的可动离子的能量分布与“TSIC”法以及“FATSIC”法的实验结果一致。     

Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析

本文完成了Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析。结果表明,主要的影响来之于电容的测量误差,而时间的测量误差(≤10％)可以忽略不计。对于其它影响寿命测量的原因,亦进行了讨论。     

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度

在均匀的高电场应力下,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变.这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的.在本文中,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度.得到了阈值电压和比例差分峰值,界面陷阱密度和应力时间的关系.此种方法也适用于PMOSFET器件.这是一个简单而快捷的技术.用这个技术实验数据可以在测量的过程中进行分析.     

测量外延层中杂质分布及肖特基二极管自建势的二次微分法

一、简述 外延层中的杂质分布是现代半导体器件设计中的一个重要参数。在微波,高速、高反压等器件中,杂质分布的情况如何,将直接影响器件的有效工作。 六十年代,外延工艺的问世使器件性能有了一个很大的提高。外延工艺的进展对半导体材料的检验工作提出了越来越高的要求,大大地促进了外延分布的测试技术的进展。主要问题就是要解决测试的准确与快速。十多年来,为此而出现了大量的工具方法,至今仍不断出现新的工作。这些工具方法,大致可以归纳为以下几种:     

测量硅片电学参数及MOS特性的恒流瞬态技术(Ⅱ)

本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参数(电导型号,掺杂浓度,少子寿命及雪崩击穿)和MOS特性(SiO_2厚度,平带电压及a系数)的快速测量。由于所测之杂质浓度与SiO_2厚度无关,可望浓度测量的精度会高些。电导型号的确定是杂质浓度测量的自然结果,而无需特别检查硅片的电导型号。对硅片雪崩击穿现象进行了直观和连续的观察,并且,发现了一种与传统观察结果不一样的MOS结构非稳态电容击穿特性。其他参数均可用瞬态技术简捷地进行测量。     

利用MOS恒流电压瞬态特性测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度

本文指出:在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电流保持恒定,则用半导体表面势(φ_S)与微分表面势((dφ_s)/(dt))之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生寿命及表面产生速度。实验装置可以直接显示φ_s-((dφ_s)/(dt))曲线,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序。     

MOS表面反型层少子时变效应研究

为深入研究半导体表面过程，主要针对Ｚerbst方程，用数值拟合法，给出脉冲电压作用下ＭＯＳ器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解，进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式；分子表面少子时变过程，为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具。     

用C-V法测量硅材料中的含氧量

硅材料中的含氧量是判断硅材料质量优劣的一个重要参数。氧原子是半导体硅材料中的一个主要的非金属元素。它是在拉制硅单晶的过程中引进的。含氧量的多少直接影响器件的性能。因此,降低和控制硅材料中的含氧量,就成为硅单晶材料制备工作的一项重要内容。而含氧量的测试就成为不断提高硅材料质量的一项重要任务。     

利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ)

本文提出了利用恒流非稳态MOS特性测量硅外延层杂质分布的一种快速,简捷的新方法。此法由于没有反向传导电流的影响,所以,比利用肖特基势垒方法要精确些;由于克服了二倍费米势的限制,所以,比通常的MOS方法所测的范围要宽些;由于是一种直接测量,所以比一般MOS脉冲方法更快些。因此,用此法测量的外延层分布是实际载流子分布的一种较好的近似。这种方法适合于外延片生产自动化过程中的快速测量。     

关于肖特基结反向传导电流对掺杂浓度测量的影响

一、前言 关于用肖特基二极管c—v法测量掺杂浓度的分析工作已经有过不少文章它们各从不同的方面阐述了产生测量误差的原因。本文将指出,由于肖特基结反向传导电流的作用,对掺杂浓度的测量也会产生严重的误差,即使是对于均匀掺杂的测量,这种影响也不容忽略。为了减少这些影响,本文建议,采用一种新的c—v技术来测量掺杂浓度。