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用C-V法测量硅材料中的含氧量
引用本文:谭长华.用C-V法测量硅材料中的含氧量[J].北京大学学报(自然科学版),1977(2).
作者姓名:谭长华
摘    要:硅材料中的含氧量是判断硅材料质量优劣的一个重要参数。氧原子是半导体硅材料中的一个主要的非金属元素。它是在拉制硅单晶的过程中引进的。含氧量的多少直接影响器件的性能。因此,降低和控制硅材料中的含氧量,就成为硅单晶材料制备工作的一项重要内容。而含氧量的测试就成为不断提高硅材料质量的一项重要任务。

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