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| 用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO_2系统中可动离子的能量分布 | |
| 引用本文： | 谭长华 ,许铭真 ,李树栋.用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO_2系统中可动离子的能量分布[J].北京大学学报(自然科学版),1982(4). |
| 作者姓名： | 谭长华 许铭真 李树栋 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系，北京东光电工厂 |
| 摘 要： | 本文是工作1]的继续。利用MOS恒流瞬态谱线研究了Al-SiO_2-Si系统中可动离子的输运过程。考虑了Poole-Frenkel效应以后,分别用单能级介面陷阱模型和连续分布能级介面陷阱模型分析了可动离子的能量分布,得到了相应的解析式。 实验结果表明,所得的可动离子的能量分布与“TSIC”法以及“FATSIC”法的实验结果一致。 |
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