磷硅玻璃钝化度和可动离子界面陷阱能级分布的研究

应用热激发离子电流(TSIC)法,三角波电压扫描(TVS)法,结合高频C—V测量,研究化学汽相淀积生长磷硅玻璃层钝化的Al-SiO_2-Si系统。实验结果表明,随着磷浓度的增加,可动离子在界面陷阱的能量分布趋于更深的能级。 PH_3/SiH_4 体积比(?)5％,PSG层(?)3000(?),钝化度(?)100％;相应的可动离子在AI/PSG界面的陷阱能级>1.4ev。     

γ辐照对MOS结构中可动离子的影响

本工作利用TSIC和B-T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了讨论。计算表明理论与实验吻合较好。     

深能级瞬态谱仪样品台系统的改进

深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。     

对Pr:YIG中Pr3+离子激发态能级的研究

运用Ｙａｎａｓｅ提出的理论模型,计算了Ｐｒ：ＹＩＧ中Ｐｒ＾３＋离子的激发态能级,计算结果与用激发态能量实验数据计算的结果符合良好,从而证明了所用模型及参数的正确性。     

激光金等离子体中Au50+的光谱跃迁和能级寿命的相对论多组态计算

根据扩展的相对论多组态Dirac-Fock理论，采用“多功能相对论原子结构程序（GRASP2）”，计算了类铜金Au^50 的能级寿命和能级宽度及光谱跃迁波长、跃迁几年和振子强度，分析了轨道极化对能级的影响，指出了Au^50 离子内部的确存在轨道极化现象。计算所得波长值与实验值符合较好，能级寿命与能级宽度的大小关系符合海森堡的能量与时间测不准原理。     

用冠醚络合硅表面的碱金属杂质

本文介绍了用冠醚除杂减少硅表面的碱金属杂质沾污的简单方法。并且应用“高频CV特性测试仪”和“半导体杂质浓度分布测试仪”分别测量外延硅单晶在冠醚除杂前后表面可动杂质离子的浓度变化及杂质浓度的纵向分布。最后估算了冠醚分子络合碱金属离子的结合能。     

ZnTe单晶的深能级瞬态谱

本文应用DLTS方法对布里支曼法,Te溶液法和逐冷法生长的三种P型ZnTe单晶的深能级进行了研究。实验中测得了Ey+0.28eV能级,并发现了E_v+0.39 eV能级,确定了它的陷阱浓度N_T和俘获截面σ_P。对三种方法生长的ZnTe单晶进行了退火实验,并对退火前后的DLTS谱进行了比较。     

多电子原子和离子体系能量积分参数的模型势理论计算公式

根据郑能武新近提出的多电子原子和离子体系的模型势理论,运用广义拉盖尔函数的性质.导出了原子和离子能级计算中各能量积分参数的计算公式     

聚酰亚胺及其等离子掺硅薄膜的光电导性能研究

本文用SiH_4等离子放电对聚酰亚胺薄膜掺硅,显著提高了光电导性.对掺杂后的薄膜的结构和光电导特征做了x 射线光电子能谱、光吸收谱和光电流谱分析.首次采用光刺激电流法(PSC)分析了聚酰亚胺及其掺硅薄膜的陷阱能级、分布和密度等参数,为分析光电导机理提供了可靠依据.     

原子分立能级和量子概念的物理本质

本文是作者“量子力学的新解释”数篇系列文章的第2篇。在第1篇即文献[1]的基础上,提出了新的量子观点、并用于对原子分立能级和量子概念的物理本质进行新的解释:指出原子内部可能存在尚未被认识的物理性质,是产生原子分立能级的原因,分立能级之间还是有连续能量存在。提出了“电子内力”、“粒子内力”、“综合内力”和“原子第一宇宙速度”等新假设,并用于重新计算具有连续能量的原子分立能级,计算数据与实验相符,说明计算所根据的理论是正确的。还为上述各种新的理论观点提供了实验根据。进一步的理论和实验方案将在以后的多篇论文中论述。     

混晶GaAs1—xPx禁带中央附近能级的研究

用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。     

用C-V特性三点法测量表面电荷的原理和应用

本文提出一种利用MOS结构C—V特性测量Si—SiO_2介面固定表面电荷和可动离子的新方法。此方法的特点是:(1)不需要x—y函数记录仪;(2)测量程序简单,可快速求值;(3)测量结果准确,故最适宜作MOS集成电路工艺或平面工艺的监控手段。     

无线传感器网络不等级能级环模型及数据传输策略

目的提高无线传感器网络传感器节点能量利用率,延长网络寿命。方法对无线传感器网络的等级环模型及数据传输策略进行研究。结果提出了一个不等级能级环无线传感器网络模型,并基于数据转发量的估计,计算了不等级环的半径,在此基础上定义了能级环上的支持节点,以总体网络能量消耗最小为优化目标,提出了支持节点在数据传输中的权力轮转与数据转发策略,最后设计了仿真实验并进行了验证,实验表明,不等级能级环模型中,在网络计算580次时,传感器网络能量利用率达到0.466 39。结论不等级能级环无线传感器网络模型及权力轮转与数据转发策略,能够有效地抑制能量洞的出现,提高网络节点能量利用率,延长网络寿命。     

聚对苯二甲酸乙二醇酯的偶极热松弛电流和退陷阱电流

用热释电(TSC)的热脉冲(又称分步加热法)技术测得双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中冻结的取向偶极的热松弛谱以及陷阱能级分布。初步探索了陷阱能级与结晶度的关系。     

弱非理想等离子体平均离子能级下移研究

用平均离子Debye模型处理平均离子的能级下移,并替代了屏蔽氢离子模型中处理平均离子能级下移的离子球模型,计算了冲击压缩条件下产生的弱非理想氩等离子体的电子密度。     

薄膜的场致发光

估计进导带的具体结构，计算了碰撞激发截面，从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性，提出了分层优化方案，对预热，加速、发光层分别优化以提高过热电子能量，并以谱线丰富的Ｅｒ３＋离子作为发光材料的激活剂，利用其发光强度的蓝或绿红比定性地表示电子的能量，从发光的亮度、效率、蓝红或绿红比都显示了这一方案的优越性．进一步分析了过热电子的能量分布、倍增发生的区域及其系数、场致发光强度与能级寿命的关系、发光的二次陡升、激发态的离化、能量弛豫及传递、界面上的能带断错及弯曲、深陷阱的空间分布等．它们的数据都支持分层优化方案的正确性、优越性     

SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理

研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

TFEL器件SiO2加速层载流子加速研究

通过对薄膜场致发光器件分层结构加速层电子加速过程的研究，提出了缺陷能级辅助电子加速机制．根据陷阱填充动力学模型，定性解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱随电场的变化．通过对加速层载流子输运的分析，探讨了加速层导电机构、陷阱能级对输运的影响以及发光亮度与加速层厚度的关系．     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布