Y-Ba-Cu-O系高临界温度超导陶瓷组成与性能关系的研究

研究了主组成及少量外加物对Y_xBa_(1-x)CuO_3系超导陶瓷导电性与超导电性的影响.研究表明,当配料组成Y∶Ba≈1∶2时最容易制取稳定的、零电阻为88K以上的高临界温度T_c的超导材料;采用Bi、Pb、Na、Co等对阳离子进行部分替位更换,仍能获得超导特性,但对T_c值没有改进;少量外加物对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系超导陶瓷的T_c值有明显的影响,微量钴离子的掺入可使T_c提高到110K,但掺入量较多时反使T_c降低.     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

碱卤晶体在直流及交变电压下电击穿场强与温度关系的试验研究

本文介绍了碱卤晶体电击穿场强与温度关系的研究。提及弗列里赫低温及高温晶体电击穿理论的概念。对许多国外作者的试验结果进行了综述。本文对NaCl及KBr晶体的电击穿场强与温度关系进行了试验研究,采用一面有球穴的试样,试样两面均以真空喷镀铝金属膜作电极,然后放入充有约30大气压氮气的金属压力罐中,进行击穿试验。直流下Nacl约在50℃时出现最大击穿场强,其数值约1.5×10~6 伏/厘米,而KBr则在120℃左右出现最大值,其数值约0.95×10~6伏/厘米。实验结果应用弗列里赫低温及高温晶体电击穿理论来解释。而对实验中晶体电强度在直流及交变电压下出现不一致的现象,则提出了晶体中存在两种空间电荷影响击穿的看法。     

ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性及其改善途径的研究

本文评述了ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的研究现状及直流稳定性的改善途径;从添加剂预合成对ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的影响展开研究,发现适当配方的添加剂经预合成后,再与ZnO料混合制成的试样,直流稳定性和温度特性得到明显改善。且预合成温度愈高,改善的效果愈显著。经X射线分析发现有Zn_2SiO_4峰,且强度随添加剂预合成温度提高而增大。文章从玻璃体形成观点分析了ZnO电压敏陶瓷稳定性得以改善的原因,认为添加剂预合成促进了致密的玻璃相在晶界附近的形成,有效地阻止了可动离子在外加电场作用下的迁移,从而改善了ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性。     

共混聚乙烯/炭黑复合温敏材料特性的研究

研究线性低密度聚乙烯（ＬＬＤＰＥ）和低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）分别与高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）进行共混改性后,对聚乙烯／炭黑复合正温度系数（ＰＴＣ）材料特性的影响,试验表明：ＬＬＤＰＥ与ＨＤＰＥ共混可形成共晶结构,而ＬＤＰＥ和ＨＤＰＥ共混后存在两种结晶结构,用ＬＬＤＰＥ改性ＨＤＰＥ,可使复合材料的机械物理性能大大改善,又不太影响其ＰＴＣ特性,是实现复合ＰＴＣ材料实用化的一条有效途径。     

介质对高压硅半导体器件表面的钝化作用

本文研究高压硅半导体器件P-N结表面与表面保护材料的界面问题,作者分析了反向漏电流随电压的变化规律,在此基础上提出钝化系数B_(ID)、B_K,用以定量地讨论钝化作用和鉴别保护材料的质量。同时,用这些参数作者实验研究了现今用于PN结表面钝化的硅漆和硅橡胶中聚合物结构、侧基的组成、纯度及填料对钝化作用的影响,结果表明侧基中苯基较多,纯度较高的改性硅漆对于表面钝化作用是比较优良的。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。     

氧化锌陶瓷元件伏安特性的试验分析与机理探讨

本文用分段拟合法对ZnO陶瓷压敏器件的直流伏安特性进行了分析讨论。根据活化能分析,认为低压欧姆隧区为电子性电导。并用噪声测量法,进一步证实击穿区确实是由隧道效应引起的。文中把器件的残压比V_(10kA)/V_(1mA)分成具有不同物理意义的三部分,进而区分电子热激发过程、隧道过程和ZnO晶粒电阻各对残压有不同的影响。     

等离子掺杂聚乙烯薄膜介电、光学和光电特性研究

本文研究了等离子聚合和等离子掺杂聚乙烯薄膜的介电、光学特性和光电效应.结果表明,等离子聚合薄膜在组成结构和性能上不同于化学聚合薄膜.氮进入聚乙烯薄膜使击穿强度提高、电频及光频区介电常数增大,暗电导率与光电导率都有明显降低.硅进入聚乙烯薄膜却使击穿强度下降、暗电导率减小、光电导率提高约两个数量级.研究认为:氮、硅掺杂的不同影响是由于引入了不同的电子陷阱能级所造成的.文中还报导了掺硅聚乙烯薄膜的异常光伏效应现象.     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高、等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸收能力。