薄膜的场致发光

估计进导带的具体结构，计算了碰撞激发截面，从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性，提出了分层优化方案，对预热，加速、发光层分别优化以提高过热电子能量，并以谱线丰富的Ｅｒ３＋离子作为发光材料的激活剂，利用其发光强度的蓝或绿红比定性地表示电子的能量，从发光的亮度、效率、蓝红或绿红比都显示了这一方案的优越性．进一步分析了过热电子的能量分布、倍增发生的区域及其系数、场致发光强度与能级寿命的关系、发光的二次陡升、激发态的离化、能量弛豫及传递、界面上的能带断错及弯曲、深陷阱的空间分布等．它们的数据都支持分层优化方案的正确性、优越性     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压陶陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗习层中电子陷阱的种类和起因，并对电子陷阱的特征参数进行了表征。实验发现：在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Deblye驰豫现象，对于每一种驰豫，其复电容曲线存在压低现象，且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小，在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱，它们分别位于导带底0．209eV和0．342eV处，其中0．209eV处的陷阱能级对尖于本征施主Znj^x的二次电离，而0．342eV处的陷阱能级对应于氧空位V0的一次电离。     

Zn2SiO4:Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料；对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析，指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心；掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子，同时能储存电子，停止激发后，储存的电子缓慢释放，从而产生长余辉发光；同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响，指出掺杂质量分数为2％时的发光效果最好；并提出了一个材料发光及长余辉发光模型．     

固态阴极射线发光的发现及证实

提出了一种全新的激发发光方式——固态类阴极射线发光,利用无机半导体作为电子加速层,加速电子使之获得高能量,然后碰撞激发有机分子(小分子和聚合物)发光.蓝光是固态阴极射线发光中的特征发光,激子的离化是固态阴极射线发光中的独特过程.从固态类阴极射线发光的现象出发,通过普适性验证(利用不同的电子加速材料和发光材料,改变器件结构)、假象排除(几种可能产生类似现象的情况)及交叉证明(研究器件的发光与激发的时间特性),证实了固态阴极射线发光的客观性.     

用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO_2系统中可动离子的能量分布

本文是工作[1]的继续。利用MOS恒流瞬态谱线研究了Al-SiO_2-Si系统中可动离子的输运过程。考虑了Poole-Frenkel效应以后,分别用单能级介面陷阱模型和连续分布能级介面陷阱模型分析了可动离子的能量分布,得到了相应的解析式。 实验结果表明,所得的可动离子的能量分布与“TSIC”法以及“FATSIC”法的实验结果一致。     

薄膜的场致发光

估计进导带的具体结构，计算了碰撞激发截面，从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性，提出了分层优化方案，对预热，加速，发光层分别优化以提高过热电子能量，并以谱线丰富的Ｅｒ＾３＋离子作为发光材料的激活剂，利用其发光强度的蓝或绿红比定性地表示电子的能量，从发光的亮度、效率、蓝红或绿红比都显著了这一方案的优越性。进一步分析了过热电子的能量分布，倍增发生的区域及其系数，场致发光强度与能级寿命的关系、发光     

电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势机理的研究

实验测定了电子俘获材料CaS:Eu,Sm的荧光激发谱，辐射谱以及红外上转换光激发光谱，发现可见光对红外上转换辐射光的激发灵敏度高达50%，而紫外光只有18%，具有可见光激发的优势，根据电子俘获材料的能级模型，电子俘获发光机理以及稀土离子在立方晶场中的能级结构，并结合光谱测试所提供的信息，分析了电子俘获材料CaS:Eu,Sm在光激发过程中的能量传递途径，阐明了电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势的机理。     

输运层对双层器件电致发光效率的影响

建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响.结果表明:双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层(输运层)中的复合发光,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大,且阴极区(阳极区)的势垒宽度双势垒高度对其影响更大;同时也可看到电场对复合区域具有调制作用.     

掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制

首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程.     

Blazar相对论喷流中电子的加速过程

考虑Blazar天体的相对论喷流中以相对论速度运动的电子在喷流中的加速过程以及随时间的演化过程。通过数值计算,对相对论喷流中的电子随时间的演化过程进行分析,以期对喷流中的相对论电子的加速过程和辐射过程有所了解。     

高电场下聚酯薄膜中陷阱捕获电子的特性研究

本文用表面电位测试技术研究了固体介质在强电场作用下陷阱捕获电荷的动力学特性.作者在考虑了碰撞电离退陷阱化后,获得的一级捕获动力学方程,定性地解释了电荷的捕获随施加电场的时间而变化的关系和捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象。利用这个动态平衡模方程,经实验分析表明:这种捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象是由于自由电子与陷阱化电子碰撞电离退陷阱化的结果,而不是陷阱化电子隧道效应或Poole-Frenkel效应的结果。当电场增强使碰撞电离退陷阱化达到一定程度时,介质便发生击穿。     

挑战传统电磁加速理论和爱因斯坦力学的两个实验

用直线加速器输出的高速电子轰击铅靶,测量铅靶的温升.用直线加速器输出的高速电子垂直射入均匀磁场,测量电子受洛伦兹力偏转而作圆周运动的半径.两个实验都证明:(1)加速器的效率随着电子速度增加而急剧下降,电子的实际速度远低于按传统的电磁加速理论和爱因斯坦力学计算的理论速度.(2)实验结果不符合爱因斯坦力学的质速公式和动能公式,而与光速可变的新相对论力学的质速公式和动能公式高度相符.(3)电子偏转实验还证明洛伦兹力与电子速度之间不是线性关系.     

固体电介质中电致陷阱产生与电子捕获动力学

考虑了固体电介质结构劣化的共同特点,本文从理论上表述了在宽广电场范围(10~5V/cm～击穿)作用下介质中电致陷阱产生的动力学过程,并以一级捕获动力学方程为依据,获得了包含新陷阱的陷阱捕获电子动力学特性方程,最后文中提出表面电位模型,实现了对这些动力学特性的研究,根据研究结果提出电击穿过程新模型。     

脉冲电压下介质膜的击穿寿命

该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加，实验结果与模型预期的相符     

在激光尾场加速中电子密度和初始动量对其自注入及加速的影响

利用哈密顿理论给出了等离子体电子在尾场中捕获及其加速与激光、等离子体参量的关系表达式.讨论了等离子体电子密度和初始动量对电子自注入和加速的影响机制.研究结果表明:静止电子不能被尾场捕获并加速,而具有一定初始动量的电子容易自注入至激光尾场中并得到加速.等离子体密度越小,激光尾场场强越强,电子将获得更大的能量.2维粒子模拟结果与理论结论一致.所得结果对超强超短脉冲激光尾场加速电子的方案具有理论指导意义.     

Hardness estimation for covalent crystals using empirical electron theory

Covalent electrons substantially determine the intrinsic hardness of inorganic crystals. A hardness model is presented on the basis of the Empirical Electron Theory generated from Pauling’s covalent bond length equation and the bond length difference method. The calculated hardness values of inorganic crystals are in good agreement with experimental and other theoretical values. Covalent bond energy with polarity correction can be used as an intrinsic indicator linking microscopic electronic structure to macroscopic hardness. A simple mathematical processing of bond energy is performed to extend the model to multi-bonding or multi-component systems. It is also found that spatial distribution of covalent bonds has a great influence on the hardness of inorganic crystals.     

GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究

根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速雪崩倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。     

老化对粉末电致发光器件特性参数的影响

本文对粉末电致发光器件的特性参数作了多次测试和计算,并用碰撞离化机理,粒度分布及电子微观运动观点予以阐述,理论分析与实验结果基本吻合。