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| 利用MOS恒流电压瞬态特性测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度 | |
| 引用本文： | 许铭真,谭长华,李树栋,陈文茹.利用MOS恒流电压瞬态特性测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度[J].北京大学学报(自然科学版),1984(4). |
| 作者姓名： | 许铭真 谭长华 李树栋 陈文茹 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系 (许铭真，谭长华)，东光电工厂 (李树栋)，北京大学计算机科学技术系(陈文茹) |
| 摘 要： | 本文指出:在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电流保持恒定,则用半导体表面势(φ_S)与微分表面势((dφ_s)/(dt))之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生寿命及表面产生速度。实验装置可以直接显示φ_s-((dφ_s)/(dt))曲线,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序。 |
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