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| 非平衡状态下MOS二极管中的反型层问题和LSCV方法 | |
| 引用本文： | 闻立珈.非平衡状态下MOS二极管中的反型层问题和LSCV方法[J].湖北大学学报(自然科学版),1985(1). |
| 作者姓名： | 闻立珈 |
| 摘 要： | 本文将文献(1)中提出的MOS二极管的简化物理模型应用于对非平衡状态的分析.首先导出了非平衡状态下反型层厚度及反型层内电位分布的解析表达式,进而对线性扫描的全过程进行了分析.得到了描述这一过程中有关物理量如表面电位、反型层厚度、耗尽层厚度等的计算公式.并讨论了这些物理量的变化与扫描速率的关系.最后讨论了用LSCV方法测量少数载流子产生速率的基本原理和计算公式. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |