遗传根和强半单根的性质

F.A..Szász所著“Radicals of rings”一书中,第一章§8给出了遗传根和强半单根的如下性质: 定理1:设A是一个环,I_1,I_2是A的理想,R是遗传根,R(A/I_1)=/I_1,i=1,2, 定理2:若R是这样的根性质,使得任意R一半单环是强R一半单环(即R一半单环的任意同态像仍是R一半单环),〔注:称这样的根性质R为强半单净则且     

亚直既约环与构造空间

利用环性质在环上定义拓扑,是研究环理论的一种方法,本文通过由亚直既约环所确定的上根性来定义环的构造空间,借助于构造空间对与此根性相应的半单环及理想进行了研究,推广了 F.A.Szasz 的结果;同时给出了强半单环的一个较好的刻画。     

关于Szasz的问题12和问题13

Szasz FA提出下列两个公开问题.(1)求根性R对任意环A和A的任意两个理想I_1,I_2满足R(I_1 I_2)=R(I_1) R(I_2)的充分必要条件(即Szasz的问题12).(2)求根性R对任意环A和A的任意两个理想I_1,I_2满足(I_1∩I_2)=I_1∩I_2的充分必要条件(即Szasz的问题13).本文引入σ—根和τ—根,利用σ—根和τ—根分别给出了上述两个问题的充分必要条件.     

半单纯环的李理想

1.引言对于任一可结合环 A,能够用它的元素与运算构成它的李环。这只要保持 A 中的元素和A 中定义的加法,但是重新引入乘法:对任意的 a、b∈A,定义李乘积为[a、b]=ab-ba,此处 ab 为 A 中元素的通常可结合积。我们称 A 的一个加法子群 U 为 A 的李理想,如果对于任何 u∈U 与任何 x∈A 而言,ux—xu 仍是 U 的一个元素。Herstein 在[1]中就 A 为一个单纯环的情形讨论了 A 的李理想,得出以下结果:设 A 为一个特征异于2的单纯环,U 为 A 的李理想,则或者 U 含于 A 的中心内,或者 U 包含[A.A],此处[A.A]表示由所有换位子 xy—yx(x、y∈A)生成的加法子群。根为零且其左理想满足降链条件的环称为半单纯的。本文将讨论半单纯环的李理想。我们的主要依据是 Artin 的结构定理:半单纯环 R 是有限个单纯理想(因而是单纯环)的直和:R=R_1R_2……R_n。希望能将 R 的李理想分解为诸单纯环 R_i(i=1.2.……n)的李     

准正则环和强正则环

环R称为准正则环，如果环R的每个右理想是由R的若干个幂等元所生成，主要结果是：(1)设R是准正则环，如果R的分式环Q作为右R模是右Noether的，则R是半单Artin环。(2)设R是准正则环，如果环R的每个素右理想都是极大右理想，则R是强正则环。     

关子結合环的根性与交換性

在环結構理論中,环的根性与环的交換性的研究都是很重要的,建立它們之間的連系,自然地是很有意义的事情。对于結合环,S为一根性,我們用R(K)表环K之S根,設S滿足下列条件: 1°,S具有繼承性,即若环I为环K之双边理想,則 R(I)=R(K)△I;     

超亚遗传根的强半单类

本文引入了单遗传根,亚遗传根及超亚遗传根等几类新的根性.证明了单遗传环类,亚遗传环类及超亚遗传环类所确定的下根分别是单遗传根、亚遗传根及超亚遗传根;并且超亚遗传根的强半单环类作成根类,但未必是补根.     

单遗传根的几种刻划

一个根R称为单遗传根,如果对于任意的R-根环A及A的单环理想H,H也是R-根环。文[1]还证明了单遗传的弱超幂零根有补根,推广了Andrunakievich关于补根的几个结果。本文继续讨论单遗传根,给出了单遗传根的下根构造、上根刻划及模刻划。     

Dedekind整环的一种推广(Ⅱ)

交换环R称为弱β-环,如果对R的每个非零的半准素理想A,R/A都是主理想环.本文用熟知的环给出了局部弱β-环以及有单位元的Noether弱β-环的完全分类。     

可消理想的刻画

针对交换环R中的理想I是可消理想的定义,提出在(冯诺依曼)正则算术环中建立可消理想的一个等价刻画;通过映射φ:Lat(R)→Lat(I):对于任意的A∈Lat(R),φ(A)=I∩A,寻找环R和理想I的进一步关系,得出对于任意的0≠e∈Idem(R),存在0≠f∈Idem(I)使得Re=Rf;从而给出完全算术环中可消理想的等价条件:R是一个完全算术环且J(R)=0,那么I是一个可消理想当且仅当对于任意e∈Idem(R),存在f∈Idem(I)使得Re=Rf.     

直无限Exchange环上的稳定秩条件

如果R是广义稳定环，则对任意正整数n,Mn(R)也是广义稳定环．设R是广义稳定Exchange环，则对任意正则的A∈Mn(R),存在P，Q∈K(Mn(R))，使得PAQ是对角阵。特别地，设R是Exchange环，I是R的理想，如果R有稳定秩为1，那么每个I上的正则方阵可以对角化。     

半幂零环与Levitzki根的一些性质

设M是任意环Ω的一个子环,如果M中任意有限个元素所生成的子环均为幂零的,则说M是一个半幂零子环.当一个半幂零子环M又是环Ω的一个左(右或两边)理想时,则说M是环Ω的一个半幂零左(右或两边)理想(参看Levitzki,J.,1943).按此定义不难依次证明下列这些断言(其中3°-5°之证明可参看谢邦傑1956):1°半幂零环之同态象仍为半幂零环.     

强正则环的若干刻划

环R称为强正则的,如果任意的a∈R,使得a=a~2b.本文研究满足条件:每个单奇异右(或左)R-模是GP-内射的SF-环,并给出了强正则环的一些刻划.     

关于环的半素理想的几个结论

讨论了环的半素理想的性质,并得到用素理想表示半素理想的如下结论:(1)环R的理想Q是半素理想当且仅当Q可表示为一些素理想的交;(2)对环R的任意半素理想Q及任意x∈R-Q,存在素理想P满足xPQ;(3)Artin交换环的任意半素理想都可表示为包含它的极小素理想的交,且这种表示是唯一的.     

右DQC--环

定义了比DQC-环更广的右DQC-环,如果R的任何理想I均由I∩生成,其中={r∈R| 对任意s∈R存在S‘∈R使得sr=rS‘}.首先给出一个右DQC-环但非DQC-环的例子,其次讨论了右DQC-环R的一些基本性质. 得到了定理1:右DQC-环R若为右Noet-her环,则R的理想有右准素分解;定理2:若R是理想满足降链条件的右DQC-环,则R的Jacobson根是幂零的.     

环的正则性与正规性

一诺特局部环R如果是整闭整环,我们称该环R是局部正则环。一诺特局部环R如果极大理想之高度与深度相等,我们称该环R是局部正规环。如果诺特环R对任意素理想作局部化是局部正则环,我们称该环为正则环。如果诺特环R对任一素理想作局部化是局部正规环,我们称该环R是正规环。本文通过微分模这一媒介介绍诺特环正则性与正规性之间的联系。     

模糊子集的(λ,μ)-限制生成的模糊代数结构

对环的任意模糊子集A和一对实数0≤λμ≤1,定义了A的(λ,μ)-限制,构造了其生成的模糊子(半)环与模糊理想.     

相对半遗传环与半遗传环

用余平坦模和M-半遗传环刻画了半遗传环,得到:R是半遗传环,当且仅当E(R)的商是余平坦模,当且仅当R是R-半遗传环,当且仅当每个模的任意两个同构内射子模的和是余平坦模.还用余平坦模刻画了QF-环和正则环,证明了:R为QF-环,当且仅当余平坦模是投射模,当且仅当投射模是余平坦模且R是Noether环;R为正则环当且仅当R的每个循环左理想余平坦.     

交换环上的强w-投射模

设R是交换环,R-模P称为强w-投射模,是指对任意的无挠w-模M,都有Ext1R(P,M)=0.证明了强w-投射模或者是投射模,或者其投射维数不低于2.通过对强w-投射模的讨论,给出了半单环、DW-环和遗传环的新刻画.     

FCG-内射模、FCGP-内射模与某些环

定义了左FCG－内射模和左FCGP－内射模，研究了它们的一些性质，用左FCG－内射模刻画了左V－环。称一个环R为左FCG－遗传环，如果投射左R－模的有限余生成了模是投射的。给出了环R为左FCG－遗传环的一些等价条件和左FCG－遗传环为半单环的条件。当R为左余Noether环时，R为左FCG－遗传环当且仅当R的每个有限余生成左理想是投射的。左FCG－遗传环是Morita不变的。