Ni81Fe19／Cr82Al18双层膜中的交换耦合

研究了用磁控溅射法制备的Ｎｉ８１Ｆｅ１９／Ｃｒ８２Ａｌ１８双层膜中的交换耦合。样品的室温矫顽力与１／ｔ＾３／２Ｍ成线性关系，从而表明在Ｎ不ｉ８１Ｆｅ１９／Ｃｒ８２Ａｌ１８中交换耦合力为铁磁／反铁磁界面的随机相互作用。另外还讨论了反铁磁层厚度对交换偏置的影响。     

膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系,结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时,Ｈｅｘ最大;Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时,Ｈｅｘ近似线性减小;而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度）,研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ,自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时,ＭＲ值最大,约为１．６％．     

膜厚对NiO／NiFe／Cu／NiFe磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力ＨＣ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ，铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系。结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大。当ＮｉＦｅ厚度增加时，Ｈｅｘ近似线性减小；而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小。     

NiO钉扎的自旋阀的结构和磁性

利用反应溅射的方法制备了ＮｉＯ薄膜,并研究了ＮｉＯ对ＮｉＦｅ薄膜的钉扎作用结果表明钉扎场与反应溅射的Ａｒ／Ｏ２比例,总的溅射气压、基底的粗糙度等有很大关系,利用光电子能谱（ＸＰＳ）分析了ＮｉＯ２中的Ｎｉ２Ｏ离子的价态,并制备了ＮｉＯ钉扎的自旋阀Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｔａ,其磁电阻（ＭＲ）可达到２．２％,忆场为１０．４８ｋＡ／ｍ。     

NiO靶烧结温度对NiO/Ni81Fe19双层膜的影响

在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用     

用于高频磁阻抗效应的软磁薄膜研究

讨论了用高频磁阻抗效应传感技术的ＮｅＦｅ软磁薄膜制备和薄膜单轴各向异性产生方法及机理，用射频磁控溅射法在几十ｋＡ／ｍ磁场定向下制备出具有一定单轴各向异性的Ｎｉ８１Ｆｅ１９软磁薄膜，并对所测得的薄膜各种磁化曲线进行了分析。     

用于高频磁阻抗效应的软磁薄膜研究

讨论了用于高频磁阻抗效应传感技术的ＮｅＦｅ软磁薄膜制备和薄膜单轴各向异性产生方法及机理．用射频磁控溅射法在几十ｋＡ／ｍ磁场定向下制备出具有一定单轴各向异性的Ｎｉ８１Ｆｅ１９软磁薄膜,并对所测得的薄膜各种磁化曲线进行了分析     

高Ni/Fe比 W-Ni-Fe系重合金烧结行为

研究了钨质量分数为９０％的高Ｎｉ／Ｆｅ比Ｗ-Ｎｉ－Ｆｅ系重合金在不同工艺参数（烧结温度、 烧结时间等）下的烧结行为．研究结果表明：在相同烧结条件下,随粘结相中ＮｉＮｅ比增加钨合 金烧结密度增加,致密化速率提高,同时烧结过程中Ｗ晶粒生长速率增大：当Ｎｉ／Ｆｅ比较低时, 钨合金在循环烧结条件下难以实现完全致密化;但对高Ｎｉ／Ｆｅ比钨合金,循环烧结不仅可以获 得比等温烧结更高的烧结密度,而且还可以有效地控制烧结过程中Ｗ晶粒的长大,获得细晶 钨合金．     

NiFe/Cu多层膜巨磁电阻与界面结构的研究

采用磁控测射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第三峰，讨论了ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜界面结构对巨磁电阻的影响     

等离子体反应溅射淀积氧化铁膜及其气敏特性

本文介绍直接用Ｆｅ作靶材料，空气中的氧作反应气体，利用等离子体反应溅射淀积出氧 化铁簿膜．同时在Ｆｅ靶上挂所需掺杂元素的金属丝．可方便地实现掺杂．气敏检测结果表明，这 是一种酒敏材料．借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ的分析和观察表明．在７５０℃左右热处理之前，簿膜是一种 非晶氧化铁结构．它与烧结型γ－Ｆｅ２Ｏ３或α－Ｆｅ２Ｏ３的结构不同，具有对乙醇的独特选择性．     

溶胶—凝胶法研制NiO薄膜

用溶胶－凝胶法合成了结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜．借助Ｘ射线衍射仪和光学显微镜等手段，对ＮｉＯ薄的晶体结构和形貌进行了分析；利用光干涉仪测定了薄膜的厚度．讨论了浸沉涂布时垂直引上速度对薄膜厚度和成膜性的影响．为了制备结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜，引上速度不应超过１２ｃｍ／ｍｉｎ．     

高温氧化膜Cr2O3和NiO中应力松弛过程

用Ｘ射线原位应力测定了高温氧化膜Ｃｒ２Ｏ３和ＮｉＯ中的应力．结果表明,Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ和ＮｉＯ／Ｎｉ体系氧化膜的生长应力分别为－１．９４９ＧＰａ和６５２ＭＰａ．在冷却过程中,Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ体系发生很大的应力松弛过程,其主要表现形式为氧化膜翘曲和开裂;而在ＮｉＯ／Ｎｉ体系中,由于ＮｉＯ薄膜具有双层结构承受不同应力状态而获得松弛．     

担载型镍催化剂上CH_4/CO_2重整反应的研究Ⅰ.CaO-Fe_2O_3双金属氧化物助剂的研究

采用固定床流动反应装置及ＴＰＲ等技术考察了ＣａＯ、Ｆｅ２Ｏ３及ＣａＯ－Ｆｅ２Ｏ３等氧化物助剂对Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的ＣＨ４／ＣＯ２重整反应制合成气的催化活性和抗积炭性能的影响,结果表明,含ＣａＯ－Ｆｅ２Ｏ３助剂的催化剂能最有效地抑制积炭,同时考察了反应温度、原料气配比及空速对催化剂性能的影响     

Fe—Ni／Cu磁性多层膜中层间耦合和磁性的研究

利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Ｆｅ－Ｎｉ／Ｃｕ多层膜中的层间耦合和二维效应，以及它们对磁性的影响，对于Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，面内饱和场Ｈｓ，矫顽力Ｈｃ，剩磁比均随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化，对于Ｆｅ－Ｎｉ（２．０ｎｍ）／Ｃｕ和Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，有效饱和磁化强度与共振线宽ΔＨ，随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中，除了一致进动共振模外，还存在     

NiO／SiO2催化剂上的CO氧化的反应机理研究

ＮｉＯ／ＳｉＯ２是优良的非贵金属型ＣＯ氧化催化剂，ＥＸＡＦＳ和ＴＰＲ表征表明其活性中心为ＮｉＯ。在此基础上进行的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟表明，在ＮｉＯ／ＳｉＯ２上ＣＯ氧化遵循Ｌ－Ｈ机理。     

CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ３复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响．结果表明：组分氧化物之间在２５０℃开始发生反应；Ｃｄ／Ｆｅ＝１／２共沉淀粉料在６００℃时形成单一尖晶石ＣｄＦｅ２Ｏ４相；电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化；Ｃｄ／Ｆｅ为１／２产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性；优化制备工艺制得的气敏元件，对低浓度乙醇气体（１００ｐｐｍ）灵敏度高达２０多倍，相当于１０００ｐｐｍ汽油灵敏度的５倍左右，具有应用开发前景．     

NiO／γ—Al2O3体系分散态研究

对不同温度下焙烧的ＮｉＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３体系的ＸＲＤ研究表明,ＮｉＯ在γ－Ａｌ２Ｏ３表面分散阈值随温度升高而增加,在低于５５０℃时,呈单层分散状态,而在较高温度时,有一定量的ＮｉＯ进入体相,此时ＮｉＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３体系为ＮｉＯ晶相,分散相和体相三相混合体。     

NiO/γ-Al_2O_3体系分散态研究

对不同温度下焙烧的ＮｉＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３体系的ＸＲＤ研究表明,ＮｉＯ在γ－Ａｌ２Ｏ３表面分散阈值随温度升高而增加．在低于５５０℃时,呈单层分散状态,而在较高温度时（７００℃以上）,有一定量的ＮｉＯ进入体相,此时ＮｉＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３体系为ＮｉＯ晶相、分散相和体相三相混合体     

电沉积Ni—Fe合金的穆斯堡尔效应

对电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的穆斯堡尔谱分析表明γ相Ｎｉ－Ｆｅ合金的同质异能移（Ｉ．Ｓ．）为－０．０６－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相的Ｉ．Ｓ．为－＋０．０５ｍｍ／ｓ，与冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的Ｉ．Ｓ．（冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的γ相Ｉ．Ｓ．为－０．１９－－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相Ｉ．Ｓ．Ｓ为－０．０７－０．１０ｍｍ／ｓ）相比，向正值方向偏移，γ相平均偏移０．１８ｍｍ／ｓ，ａ相约０．１３ｍｍ／ｓ，电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的磁超     

铁基脱硫剂的化学形态

应用穆斯堡尔谱考察了焙烧温度对成型氧化铁脱硫剂相态组成的影响．实验结果表明，提高焙烧温度有利于α－Ｆｅ２Ｏ３的形成，但焙烧温度过高则会使α－Ｆｅ２Ｏ３转变成Ｆｅ３Ｏ４并引起部分成分烧结而导致脱硫剂活性的下降原脱硫剂中的Ｆｅ２Ｏ３在焙烧过程中转化成α－Ｆｅ２Ｏ３和Ｆｅ３Ｏ４．再生处理后脱硫剂的化学组成基本上可恢复至起始状态．