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在不同的温度下烧结制备ＮｉＯ靶，用射频磁控溅射法淀积ＮｉＯ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９双层膜，研究了不同的温度烧结ＮｉＯ靶对ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜特性的影响，结果表明，使用不同的烧结温度制备的ＮｉＯ靶溅射所得的ＮｉＯ膜中Ｎｉ的化学价态及其含量不同，进而影响ＮｉＯ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用。 相似文献
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讨论了用于高频磁阻抗效应传感技术的ＮｅＦｅ软磁薄膜制备和薄膜单轴各向异性产生方法及机理．用射频磁控溅射法在几十ｋＡ／ｍ磁场定向下制备出具有一定单轴各向异性的Ｎｉ８１Ｆｅ１９软磁薄膜,并对所测得的薄膜各种磁化曲线进行了分析 相似文献
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用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系,结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时,Ｈｅｘ最大;Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时,Ｈｅｘ近似线性减小;而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度）,研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ,自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时,ＭＲ值最大,约为１．６％． 相似文献
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在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用 相似文献
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