Cu+对 ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响

以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480 nm逐渐变为520 nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.     

激活剂对粉末电致发光材料发光性能的影响

采用掺杂2种激活剂制备了粉末电致发光材料ZnS:Cu,Au,发现激活剂Cu+,Au+的掺杂量对材料亮度有较大影响.当掺入激活剂Au+与基质ZnS的质量比为0.05%,而掺入Cu+的量比达到0.29%时,得到了在400 Hz,150 V激发下,亮度可达105 cd/m2的绿色电致发光材料.通过光谱分析发现,掺杂后并没有改变发光材料的颜色.同时,用扫描电子显微镜(SEM)对ZnS:Cu,Au颗粒进行了尺寸和形貌表征.     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

电致发光粉ZnS:Cu的透明防潮包覆

在现有包覆方法基础上进行了改进且得到了满意的包覆效果.以有机硅、铝为反应物用Sol-Gel法,在微米尺度的电致发光粉表面上形成一层厚度均匀的纳米薄膜,实现了电致发光粉ZnS:Cu的透明防潮包覆.实验结果表明:包覆3次的薄膜最均匀且致密,抗变色时间大于120min;包覆后的电致发光粉ZnS:Cu可以保持未包覆时发光强度的93%以上,且包覆次数对发光强度的影响很小;温度低于200℃时其抗腐蚀性能良好,用透射电子显微镜(TEM)和X射线荧光探针光谱分析仪(EDXS)对包覆膜进行了表征.经过包覆后的电致发光粉表面的铝和硅含量在不断增加且硅增加的速度快于铝增加的速度.     

pH值对电致发光粉表面包覆SiO2膜的影响

采用Na2SiO3水解法,在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2膜层,并主要分析了包SiO2膜时,pH值对包覆膜致密性的影响.发现电致发光粉在pH=9.5的Na2SiO3溶液中预分散条件下,陈化至8.5,易于形成均匀致密的SiO2膜层.因此,电致发光粉的老化性能得到一定程度的改善,延缓了它的老化.     

ZnS:Cu电致发光的空间分布

我们从与外电场垂直和平行两个方向上观察了ZnS:Cu发光粉粒中电致发光区域的空间分布,观察结果指出:发光区域主要是呈点状集中分布于每一ZnS:Cu粉粒与外场垂直的两个端面附近,发光点的位置与表面Cu_2S,斑点的位置相对应。观察结果证实了理论分析。     

ZnS:Cu,Br交流电致发光粉末材料中俘获能级深度的测定

本文根据徐叙瑢等人所用的方法,测量了ZnS:Cu,Br交流电致发光粉末材料的热释光曲线并计算出能级深度。认为这个能级可能由于Br杂质产生的。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的橙色电致发光器件的研究

报道了采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙色电致发光器件(TDEL).介绍了器件的制造工艺,测量了器件的电致发光光谱、阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压.     

橙黄色电致发光器件发光特性的研究

本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.     

陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备

为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS:Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280 ℃时制备ZnS:Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500 ℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn 的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS:Mn发光层具有良好的光电特性.     

Point defects in active layers of TFEL devices based on ZnS

Point defects in the active layer of a layered optimization thin film electroluminescent device of ZnS; Er³⁺ were studied. The results indicate that besides Er³⁺ substituting for Zn²⁺ as luminescent centers, the dominant point defects are sulfur vacancies, zinc vacancies, shallow donors and deep acceptors. Their influence on electroluminescence is discussed.     

采用Q—V系统研究掺稀土ZnS薄膜电致发光

Q-V特性测试系统及亮度测试系统对ZnS:RE及ZnS:REF_3 器件进行传输电荷密度、器件阈值电压、器件各层电容、输入电功率密度及发光亮度等参数的测量,通过实验公式对各项参数定量计算,作出特性曲线,并对结果作了讨论。     

Study on temperature characteristics of organic light-emitting diodes based on tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum

Both single-layer and double-layer organic light-emitting devices based on tris-（8-hydroxylquino- line）-aluminum （AIq3） as emitter are fabricated by thermal vacuum deposition. The electroluminescent characteristica of these devices at various temperatures are measured, and the temperature characteristics of device performance are studied. The effect of temperature on device current conduction regime is analyzed in detail. The results show that the current-voltage （I-V） characteristics of devices are in good agreement with the theoretical prediction of trapped charge limited current （TCLC）. In addition, both the charge carrier mobility and charge carrier concentration in the organic layer increase with the rise of temperature, which results in the monotonous increase of AIq3 device current. The current conduction mechanisms of two devices at different temperatures are identical, but the exponent m in current-voltage equation changes randomly with temperature. The device luminance increases slightly and the efficiency decreases monotonously due to the aging of AIq3 luminescent properties caused by high temperature. A tiny blue shift can be observed in the electroluminescent （EL） spectra as the temperature increases, and the reduction of device monochromaticity is caused by the intrinsic characteristics of organic semiconductor energy levels.     

ZnS：Mn~（2＋）电致发光激发过程

本文利用光激发光谱、电致发光波形和分时光谱相结合，并配合数学计算仔细地研究和比较了ＺｎＳ：Ｍｄ（２＋）薄膜和ＺｎＳ：ｐｒ（３＋）薄膜的电致激发发光过程，解释了Ｍｎ作为最有效发光中心的原因．     

ZnS∶Cu，Cl，Er直流电致发光薄膜激发机制的研究

研究了ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件在不同宽度的矩形脉冲激发下，器件在激发期间发光的瞬态特性，提出了能量传递模型．实验曲线拟合结果表明：器件的激发过程中存在能量传递．     

2个同分异构体2-乙烯基-8-羟基喹啉锌化合物的合成与发光特性

设计合成了2个含吡啶环2-乙烯喹啉-8-羟基喹啉金属锌配合物的同分异构体,用FT-IR、FAB-MS和元素分析表征了结构,热重分析结果表明化合物3和4的玻璃化转变温度分别在204 ℃,228 ℃. 光致发光(PL)光谱测试结果表明,化合物3的发光峰值为612 nm,橘红色光;化合物4的发光峰值为630 nm,发红色光.用化合物4与TPD组装为双层电子器件,电致发光峰值为656 nm.     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

小分子有机电致发光材料研究进展

 有机电致发光器件（OLED）具有效率高、亮度高、驱动电压低、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点,因其在平板显示和高效照明领域具有极大的应用前景而引起广泛关注。在OLED的制备及优化中,有机电致发光材料包括小分子和聚合物的选择至关重要,其中有机小分子发光材料具有确定的相对分子质量、化学修饰性强、选择范围广、易于提纯、荧光量子产率高以及可以产生红、绿、篮等各种颜色光等优点,一直受到国内外学者的广泛重视。本文综述了近年来国内外有机电致发光小分子发光材料的研究状况,对有机小分子电致发光材料进行分类和评述,并简要介绍了小分子OLED的应用前景和发展趋势。