高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．     

利用电子顺磁共振对掺Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究

测量并对比了掺Ｍｎ刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱，结合紫外－可见光吸收谱的结果，发现Ｍｎ２＋和Ｍｎ４＋的浓度降低，而Ｍｎ３＋浓度增加，虽然Ｍｎ离子的掺杂浓度并无改变，但其价态由于中子辐照而引起了改变．实验结果还表明，中子辐照可在晶体内形成Ｍｎ２＋与Ｆ－心的复合体，但退火后则有一部分转化为Ｍｎ２＋与Ｆ心的复合体．     

金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究

掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .     

10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征,认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系,这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰,可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示,小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．本文还将讨论其它的有关的Ｒａｍａｎ峰     

分子场理论分析R2Fe17—xMx和R2Fe17N3稀土合金

用分子场理分析分析了稀土化合物Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ和Ｒ２Ｆｅ１７Ｎ３（Ｒ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ：Ｍ＝Ａｌ；ｘ＝０，２）的温度磁化曲线，计算出分子场 数ｎＲＲ，ｎＲＦ，ｎＦＦ。由分子场系数，计算了Ｆｅ－Ｆｅ、Ｒ－Ｒ、Ｒ－Ｆｅ的相互作用对Ｔｃ的贡献ＴＦＦ、ＴＲＲ、ＴＲＦ。     

利用电子顺磁共振对振Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究

测量并对比了掺Ｍｎ刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱。结合紫外－可见光吸收谱的结果，发现Ｍｎ＾２＋，和Ｍｎ＾４＋的浓度降低，而Ｍｎ＾３＋浓度增加，虽然Ｍｎ离子的掺杂浓度并无改变，但其价态由于中子辐照而引起了改变，实验结果还表明，中子辐照可晶体内形成Ｍｎ＾２＋与Ｆ＾－心的复合体，但退火后则有一部分转化为Ｍｎ＾２＋与Ｆ心的复合体。     

二极管电子辐射效应的研究

利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。     

电子和质子辐照Tc氧化物高温超导体的不同特性

用２００ＫｅＶ质子，４００ＫｅＶ和８ＭｅＶ电子分别辐照ＹＢａＣｕＯ高Ｔｃ超导材料，其影响是不同的．质子注入使零电阻温度从８６．７Ｋ提高到８９．８Ｋ，而剂量为２．２５×１０１４电子／ｃｍ２的８ＭｅＶ的电子辐照却使超导体的零电阴温度下降３Ｋ左右．当电子辐照剂量为１．３５×１０１５ｅ／ｃｍ２时，超导体变成绝缘体．用高分解电镜对４００ｋｅＶ的电子辐照分况进行实地在线研究，发现当剂量到１．０×１０２６ｅ－／ｃｍ２时，氧化物超导体中的品相出现非品化，而其原来为非品区域处处出现有序化．     

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。     

掺钯硅快恢复二极管VF～TRR兼容性研究

作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF－TRR兼容性，得到掺钯硅二极管的VF－TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果；这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合，作者对此进行了分析与讨论，根据实验结果，作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管。     

重掺镁LiNbO3:Fe晶体的光谱与光折变特性研究

研究了重掺镁ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体的透射光谱与光折变特性。结果表明,ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体在重掺镁后,镁离子把晶体中的铁离子“挤”入铌位是重掺镁ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体抗光折变的原因所在。在重掺镁（≥５ｍｏｌ％）ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ的 ,作为施主中心的Ｆｅ＾２＋的特征吸收“台阶”的消失和３５０４ｃｍ＾－１的ＯＨ吸收带的出现,都直接证明了铁离子从锂位进入了铌位,并以Ｆｅ＾３＋Ｎｂ的形式存在。     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

掺锑α－Fe_2O_3超微粉材料的晶粒生长、微结构与气敏特性

用化学共沉淀法制得掺有一定量锑离子的α－Ｆｅ２Ｏ３，超微粉料．ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ及ＳＥＭ等分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２时，材料仍保持α－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但其晶化温度随Ｓｂ含量的增加向高温区移动；在低温段纯α－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长活化能（Ｑ＝１０．３ｋＪ／ｍｏｌ）远小于Ｓｂ／Ｆｅ＝０．１（Ｑ＝３５．３ｋＪ／ｍｏｌ）粉料的活化能；Ｓｂ５＋取代α－Ｆｅ２Ｏ３晶粒中Ｆｅ３＋格位与在４５０℃下长期工作粉料颗粒不易长大，是造成掺锑α－Ｆｅ２Ｏ３元件电阻降低一个多数量级及气敏性能显著改善的主要原因．     

AN ACHROMATIC MAGNETIC DEFLECTION SYSTEM WITH THREE-SECTOR MAGNET

描述了一个三扇形磁铁消色差磁偏转系统。该系统由三个紧密相连具有不同气隙的扇形磁铁组成，并具有一对称平面。用矩阵法分析了该系统的特性，得到了一般和最佳消色差条件。该系统结构紧凑，传输特性好，工作能区宽。１２ＭｅＶ工业辐照电子直线加速器２７０°偏转系统的测量结果显示了良好的光学特性     

掺氮类金刚石薄膜(α-C:H:N)显微结构的研究

用射频等离子体化学气相沉积法（ＲＦ－ＣＶＤ）和ＣＨ４、Ｎ２与Ａｒ组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜（α－Ｃ：Ｈ：Ｎ）。用原子力显微镜（ＡＦＭ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、红外光谱（ＩＲ）以及显微拉曼谱（Ｍｉｃｒｏ－Ｒａｍａｎ）对α－Ｃ：Ｈ：Ｎ薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中Ｎ２与ＣＨ４比值的增大,薄膜中的氮元素含量也随之增大,并主要以     

快凝Al－8．5Fe－1．3V－1．7Si合金高温下的相稳定性

采用透射电镜研究了快速凝固Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ合金在６００℃长时间热暴露后强化相的转化行为．结果发现，高温下稳定性极好的Ａｌ１２（Ｆｅ，Ｖ）３Ｓｉ相在６００℃时粗化速率明显加快．在有些强化相颗粒粗化的同时，伴随部分小尺寸颗粒的溶解．随热暴露时间的延长，强化相体积分数减小，粗化的颗粒外形由球形变为多边形，半共格关系遭到破坏．热暴露２００ｈ后，在基体中有异常粗大的Ａｌ１３（Ｆｅ，Ｖ）形成，该相为底，Ｘ单斜结构，相内为孪晶结构．     

掺镁的铝酸锶铕磷光体的发光特性

研制了掺Ｍｇ的ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ磷光体，Ｍｇ作为杂质掺入后，并未改变磷光体的发射光谱，却使磷光体获得长余辉发光特性，余辉发光强度按ｔ＾－１．１的双曲线形式衰减，热释光谱的测定显示出，在３４３Ｄ时磷光体存在一较宽的热释光这表明在磷光体中形成了Ｍｇ的杂质陷阱能级，其能级深度约为０．３１ｅＶ．     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

新型磁光石榴石薄膜的液相外延生长

对高掺铋（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２及（ＥｒＧｄＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２磁光单晶薄膜的液相外延生长进行了实验研究．用液相外延法将薄膜生长在大晶格常数的ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ基片上，实验中采用新的材料配方与工艺技术，特别是在薄膜晶体生长中采用变化熔料温度与基片转速的新技术，生长出多分层而不开裂的薄膜，使用Ｄ／ＭＡＸ－ⅢＢ型晶体衍射仪测量了样品的Ｘ射线衍射谱，并对实验结果进行了分析     

HEMT材料的电子辐射效应

用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料的结果进行了比较，对异质结界面的辐照效应进行了分析。