CuPc/CuPc:C_(60)/Alq/Al结构的有机太阳能电池

制备了一种ITO/CuPc/CuPc∶C60/Alq/Al结构的PIN有机太阳能电池,采用Cu-phthalocyanine(CuPc)和fullerene(C60)的共混层作为光吸收层,CuPc和Alq作为空穴传输层和电子传输层.利用真空蒸发镀膜法制备各层有机薄膜,并用I-V曲线和紫外可见吸收光谱来表征器件性能.研究了器件的光吸收层、电子传输层、空穴传输层的膜厚参数对器件性能的影响.结果表明,当器件光吸收层、电子传输层、空穴传输层的厚度分别为15,30,40 nm时,器件的性能达到最优化.优化器件的短路电流密度JSC为2.07 mA.cm-2,开路电压VOC为0.56 V,填充因子FF为0.46,器件的能量转换效率达到0.53%.     

ZnO/SnS复合薄膜的制备及其光伏性能

利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜,再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结,并利用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响,测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当工作气压和溅射功率分别为0.2 Pa和150 W,沉积时间为40 min时得到的ZnO薄膜能获得较好的异质结且器件的性能达到最优化.该最优器件的短路电流密度JSC为1.38 mA.cm-2,开路电压V为0.42 V,填充因子F为0.40.     

硅太阳电池类金刚石增透膜的研制

用类金刚石膜制作硅太阳电池的增透膜可以明显地改善它的光谱特性，实验表明，用类金刚石薄膜制作增透膜之后，硅太阳电池的短路电流增加38％，在较大的光谱范围内响应值增大，并且在650－750nm波长范围内有最大增透效应，在650－950nm波长范围内，量子效率接近1。     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

金刚石薄膜在Si(100)上的偏压成核与织构生长的研究

通过微波等离子化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）在镜面抛光Ｓｉ（１００）上生长出高品质的具有（１００）织构的金刚石薄膜．列举了最佳成核与生长条件．ＳＥＭ和Ｒａｍａｎ光谱对所得样品进行了表征,并对偏压的影响及成核生长机制进行了讨论．     

聚丙烯腈/多金属复合氧化铁可见光催化光解水的性能

采用共沉淀法和浸渍法制备聚丙烯腈(polyacrylonitrile,PAN)/多金属氧化铁复合光解水催化剂.傅里叶变换红外光谱分析仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)表征表明,热处理后的聚丙烯腈发生了热环化反应,其功能基团与金属离子间具有较强的相互作用.X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)表征表明,催化体系中的氧化铁主要为立方晶系,铜、镍及钯均以氧化物形态存在.在光催化反应中,催化剂表现出了较好的催化效果,最高催化产氢速率达到714.3μmol/(g·h).     

在600℃封闭系统中Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10′～15′)热处理后使Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法在77K(液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中汞空位扩散系数D_L为2×10~5微米~2/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_(?)为5×10~(19)·厘米~(-3)大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右     

低粗糙度金刚石薄膜的制备及其光学性能的表征

采用热丝化学气相沉积（HFCVD）方法，在反应气压、衬底温度一定的情况下，通过改变碳源浓度以制备低粗糙度金刚石薄膜.扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）测试结果表明，随着碳源浓度适当增加（从2％增加到3％），金刚石薄膜表面晶粒尺寸减小到纳米量级，平均粗糙度从45 nm降低到21 nm，同时光学透过率下降.椭圆偏振光谱拟合结果显示，随着碳源浓度的增加，薄膜折射率n稍有偏离理想值.拉曼散射光谱显示随着碳源浓度的增加，薄膜中非金刚石相含量增加，一定程度上影响了薄膜的光学质量.结果表明，在表面粗糙度相差不大的情况下，薄膜的质量决定了其光学性质.     

陶瓷-金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景

微电子技术、微电路构装技术、功能材料与器件技术的发展，使器件与电路工作速度不断提高和单位体积内热耗散量大幅度增加．这要求封装基片和构装基板材料具有极高的热导率和较小的介电系数．金刚石热导率高，介电系数低，介电损耗低，热膨胀系数与单晶硅非常接近，是目前电子器件、电路和系统的最理想的封装基片和构装基板．用金刚石膜为基础的复合材料来制备高热导率和低介电常数的基片，是一种性能／价格比非常高的选择．本文综述陶瓷－金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景．并介绍目前我们的研究现状．     

金刚石膜在偏压电场作用下的成核行为

探讨了用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)衬底上加偏压电场和不加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为.并经用原子力显微镜(AFM)分析,偏压电场对金刚石成核有促进作用.文章也分析了偏压电场所以能促进金刚石成核的机制.