金刚石薄膜在Si(100)上的偏压成核与织构生长的研究

通过微波等离子化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）在镜面抛光Ｓｉ（１００）上生长出高品质的具有（１００）织构的金刚石薄膜．列举了最佳成核与生长条件．ＳＥＭ和Ｒａｍａｎ光谱对所得样品进行了表征,并对偏压的影响及成核生长机制进行了讨论．     

陶瓷-金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景

微电子技术、微电路构装技术、功能材料与器件技术的发展，使器件与电路工作速度不断提高和单位体积内热耗散量大幅度增加．这要求封装基片和构装基板材料具有极高的热导率和较小的介电系数．金刚石热导率高，介电系数低，介电损耗低，热膨胀系数与单晶硅非常接近，是目前电子器件、电路和系统的最理想的封装基片和构装基板．用金刚石膜为基础的复合材料来制备高热导率和低介电常数的基片，是一种性能／价格比非常高的选择．本文综述陶瓷－金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景．并介绍目前我们的研究现状．     

金刚石膜在偏压电场作用下的成核行为

探讨了用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)衬底上加偏压电场和不加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为.并经用原子力显微镜(AFM)分析,偏压电场对金刚石成核有促进作用.文章也分析了偏压电场所以能促进金刚石成核的机制.     

掺氮类金刚石薄膜(α-C:H:N)显微结构的研究

用射频等离子体化学气相沉积法（ＲＦ－ＣＶＤ）和ＣＨ４、Ｎ２与Ａｒ组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜（α－Ｃ：Ｈ：Ｎ）。用原子力显微镜（ＡＦＭ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、红外光谱（ＩＲ）以及显微拉曼谱（Ｍｉｃｒｏ－Ｒａｍａｎ）对α－Ｃ：Ｈ：Ｎ薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中Ｎ２与ＣＨ４比值的增大,薄膜中的氮元素含量也随之增大,并主要以     

掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究

采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究.结果表明,薄膜中氮含量随工艺中氮气/甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和.光谱中CH键吸收峰(2859~3100cm^-1)逐渐消失,而且CNH键(1600cm^-1)、C≡N键(2200cm^-1)和NH键(3250cm^-1)对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加.拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应.偏振光谱分析认为,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由1.8降低到1.6.