| 二极管电子辐射效应的研究 |
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| 引用本文： | 唐方元,齐鸾亭.二极管电子辐射效应的研究[J].四川大学学报(自然科学版),1994,31(2):184-186. |
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| 作者姓名： | 唐方元 齐鸾亭 |
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| 摘 要： | 利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。
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| 关 键 词： | 电子辐射 少子寿命 二极管 |
THE EFFECTS OF DIODE BY ELECTRON IRRADIATION |
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| Tang Fangyuan.THE EFFECTS OF DIODE BY ELECTRON IRRADIATION[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),1994,31(2):184-186. |
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| Authors: | Tang Fangyuan |
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| Institution: | Tang Fangyuan(Institute of Nucloar Science and Technology)Qi Luanting(Department of Physics) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron irradiation minority-carrier-lifetime defect levels forward voltage |
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