电子辐照对纳米Gd_2Zr_2O_7晶粒尺寸和结晶度的影响

利用能量为1.7Mev、注量在1015~2×1016/cm2的电子辐照非晶Gd2Zr2O7粉体、晶态Gd2Zr2O7纳米粉体和晶态Gd2Zr2O7纳米陶瓷,采用XRD测试手段对电子辐照前后的样品进行分析.结果表明,在此电子能量下,非晶Gd2Zr2O7粉体未出现晶化现象;部分晶态Gd2Zr2O7纳米粉体和纳米陶瓷在1016/cm2的注量下,结晶度提高,晶粒长大,辐照引起的退火效应占主导地位;结晶程度较高的Gd2Zr2O7纳米陶瓷在电子辐照下结晶度提高最大,平均晶粒尺寸也有明显提高.     

羟基磷灰石陶瓷中氧缺陷及其与OH离子的氢键作用

用ＦＴ－ＩＲ光谱等方法对羟基磷灰石陶瓷中一种氧缺陷进行研究的结果表明，这种缺陷与羟基磷灰石ＯＨ离子有氢键作用生成，使陶瓷呈暗红色。该试样可以在Ｎ２甚至ＣＯ２中退火漂白，又能在Ｏ２中重新赋色。经光谱与结构分析推断，这种缺陷是位于羟基磷灰石ＯＨ格位上的双氧基团构成。     

电子束蒸发制备碳化硼微球涂层的工艺研究

自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置,用于电子束蒸发制备碳化硼微球涂层. 采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1 mm的玻璃小球表面沉积了碳化硼涂层. 研究了筛网振动频率、电子束制备工艺对沉积速率、涂层厚度以及涂层表面粗糙度的影响. 采用X射线照相技术测试涂层的厚度;XPS测试涂层表面成分;AFM表征涂层的表面形貌和均方根粗糙度. 结果表明：涂层主要成分为B4C,表面较为光滑、均匀;当筛网振动频率为0.25 Hz,且电子束蒸发工艺参数定为：真空度P小于3×10-3 Pa,高压U 等于6 kV,束流I 在 1     

跳动及滚动激励制备的碳化硼涂层表面形貌的对比

利用电子束蒸发技术蒸发碳化硼, 通过弹跳激励和滚动激励两种方案来随机滚动小球, 从而分别在玻璃和钢球心轴上制备了碳化硼涂层. 采用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行了分析. 同采用弹跳激励制备的涂层相比, 在用滚动激励制备的涂层表面不存在裂纹和微粒脱落现象, 其微粒生长的更大, 相互接合的更致密. 经对比证明, 在制备碳化硼涂层上, 滚动激励装置优于跳动激励装置.     

利用DV-Xα法研究铁在高压下的物理性质

采用密度泛函理论中原子簇嵌入模式的电荷自洽变分DV—Xα方法（Self-Consistentof Charge-Discrite Variation—Embedded Cluster Model），对bcc结构用fcc结构的铁在较高压强范围内的物理参量进行了计算，得到了系统的总能随体积变化的关系，以及压强与体积的关系曲线；根据计算结果，作者得到平衡条件下，铁体心结构（bcc）晶格常数为2．75A，面心结构（fcc）晶格常数为3．377A；并推断出体心结构铁在17．75GPa压强下，可能转变成面心结构铁：还将得到的结果与实验结果和其它理论计算结果进行了比较，吻合较好．     

MgAl2O4晶体γ辐射效应的研究

利用γ射线辐照ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体后，通过热处理及相关测试结果表明，被γ辐射处理的尖晶石可产生大量的Ｆ心和Ｖ心等缺陷；并且发现γ辐射可明显地影响尖晶石的光谱特性。我们对上述物理现象进行了合理的解释。     

羟基磷灰石陶瓷中的一种新型色心

报道了由湿法合成的羟基磷灰石粉料在１２００℃以上的常压烧结后会出现一种暗红色色心缺陷，经１１００℃Ｎ气氛中退火心被完全漂白，再与Ｏ２气氛中同样条件下退火色心又重新出现；研究表明，该色心不仅具有可逆性而且在空气中用低于１２００℃的温度再处理和紫外光及Ｘ光归射都不会使其消失，具有较高的热稳定性。     

利用DV-Xα法研究铁在高压下的物理性质

采用密度泛函理论中原子簇嵌入模式的电荷自洽变分DV-Xα方法(Self-ConsistentofCharge-Discrite Variation-Embedded Cluster Model),对bcc结构用fcc结构的铁在较高压强范围内的物理参量进行了计算,得到了系统的总能随体积变化的关系,以及压强与体积的关系曲线;根据计算结果,作者得到平衡条件下,铁体心结构(bcc)晶格常数为2.75A,面心结构(fcc)晶格常数为3.377A;并推断出体心结构铁在17.75GPa压强下,可能转变成面心结构铁;还将得到的结果与实验结果和其它理论计算结果进行了比较,吻合较好.     

电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究

采用了电子束蒸发在Si(100)片沉积了碳化硼(B4C)薄膜,并用傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜样品组分和结构进行分析,以研究在不同基片温度和束流下对薄膜结构的影响.分析表明:薄膜中均含有1170cm-1,1660cm-1两个特征峰,分别对应于碳化硼中正二十面体和三原子链的结构.不同基片温度对薄膜化学结构无影响;而不同束流,形成的结构不同,主要体现在碳化硼的特征结构(三原子链和正二十面体)的形成,随着束流的增大,薄膜中二十面体结构显著增多,B的流失减少.     

利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜

利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS（X射线能谱）和FI-IR（傅立叶红外吸收）相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiOx(x<2)和SiOy(y<2).