新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

新法制备高亮度蓝色SrS：Ce薄膜电致发光器件

以Ｓｒｓ：Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜电致发光器件，研究了新法制备的ＳｒＳ：Ｃｅ膜的光发光性能和它的电致发光器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ；Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比。     

铒浓度对ZnS薄膜DCEL的影响

用直接掺杂法和ＸＰＳ谱法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ中铒离子的体浓度及纵向分布对器件发光的影响，测量了Ｅｒ￣３＋的￣２Ｈ＿ｌｌ／ｌ２，跃迁与温度的关系，对硫化锌薄膜器件中Ｅｒ￣３＋发光的电激发过程提出新见解．     

真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率     

硫化锌薄膜直流电致发光能量传递机制的研究

通过对所研制的ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件的电致发光衰减特性及短脉冲激发下样品发光特性的测量，发现能量传递现象。提出了激活能量由铜中心或其它自激活中心向Ｅｒ＾３＋发光中心传递的模型，很好地解释了实验结果。     

层状金属氧化物的离子交换性能研究

本文利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＤＴＡ及ＢＥＴ等现代仪器，研究了Ｋ－Ｚｎ－Ｔｉ层状金属氧化物（ＬＭＯ）经ＨＡＣ，ＮＨ４Ｃｌ交换前后的基本性能。结果表明：该ＬＭＯ具有良好的离子交换性能，其面网间距由０．７８ｎｍ分别增加到０．８６ｎｍ和０．８８ｎｍ．同时，比表面积由２７ｍ２／ｇ分别增加到３０ｍ２／ｇ和５９ｍ２／ｇ，可望作为大孔分子筛的制备原料。     

ZnS∶Cu，Cl，Er直流电致发光薄膜激发机制的研究

研究了ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件在不同宽度的矩形脉冲激发下，器件在激发期间发光的瞬态特性，提出了能量传递模型．实验曲线拟合结果表明：器件的激发过程中存在能量传递．     

蝮蛇短尾亚种体内元素定性定量分析

经电感耦合等离子体发射光谱法（ＩＣＰ－ＡＥＳ）测定，蝮蛇短尾亚种体内含有大量的宏量元素Ｃａ、Ｍｇ、Ｐ及微量元素Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｓｅ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｇｅ和Ｍｏ．但这些元素在各器官间的含量存在显著差异：Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ在蛇体内含量较高；Ｃｕ、Ｍｎ含量中等；Ｓｅ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ含量较少，而Ｇｅ、Ｍｏ含量甚微．结果提示蝮蛇短尾亚种体内各器官的微量元素分布特点是与其生理生化功能相适应的．     

超微粒子－有机聚合物薄膜的研究

我们用离子团束－飞行时间质谱（ＩＣＢ－ＴｏＦＭＳ）系统制备了金（Ａｕ）超微粒子－聚乙烯（ＰＥ）薄膜和Ｃ＿（６０）－聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析了所制备的样品。它们的结构是Ａｕ超徽粒子镶嵌在多晶的ＰＥ薄膜中，其中Ａｕ原子团呈球形，直径分布在２．０－５．０ｎｍ窄范围内，当沉积基底温度为９０℃时，Ａｕ原子团相互靠近，几乎连接起来，但仍保持原来大小。基底温度为１４０℃蒸积的Ｃ＿（６０）－ｐＥ薄膜具有晶态结构，其晶格常数为１．４５４ｎｍ。     

重金属（Cu^2＋,Zn^2＋）对罗非鱼嗅电图反应的影响

将Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋溶液灌入嗅觉器官，研究不同浓度重金属对鱼类嗅电图（ＥＯＧ）反应的影响，结果如下：１）正常鱼体上ＤＬ－Ｍｅｔ剂量的ｌｏｇ值──ＥＯＧ反应间呈指数函数关系Ｒ＝２１．０（１ｏｌｏｇｃ／４．９３５）；２）Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋对１０－５ｍｏｌ／ＬＭｅｔ刺激产生的ＥＯＧ反应呈抑制效应，抑制的程度随金属浓度的增加而增加；３）Ｃｕ２＋的抑制效应大于Ｚｎ２＋，约为１０余倍，Ｃｕ２＋的有效ＩＣ５０为２２．３８μｇ／Ｌ，Ｚｎ２＋为３５４．８μｐｇ／Ｌ．     

CuInSe2多晶薄膜的光学特性研究

根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ．结果表明,用双源法制备的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性基本一致     

Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长

本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。     

用电子束蒸发制备硫化锌薄膜器件的绝缘层

用电子束蒸发Ｔａ＿２Ｏ＿５或Ｙ＿２Ｏ＿３膜作绝缘层制备ＺｎＳ：ＭｎＡＣＴＦＥＬ器件。比较两种类型绝缘层器件的光电特性，探讨制备低阈值电压和高亮度ＡＣＴＦＥＬ器件的途径，研究表明用电子束蒸发制备Ｔａ＿２Ｏ＿５绝缘层的器件可获得低阈值发光。     

在三层有机薄膜电致发光器件中PBD的空穴限定作用研究

把ＰＢＤ层夹在空穴传输层（ＨＴＬ）和发光层（ＥＭＬ）中间，制备了三层有机薄膜电致发光器件，同时得到了ＨＴＬ和ＥＭＬ的发光，提出了ＰＢＤ的空穴限定作用，并通过与双层器件比较、用光致发光方法以及通过发光与驱动电压的关系得到了证实．     

离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜

本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为１３３＂，并具有原子水平平整程度的ＺｎＳｅ（１００）单晶薄膜。     

在铅笔芯电极上Zn（Ⅱ）伏安特性的研究

本文用铅笔芯制成的电极（ＰＣＥ），与玻碳电极（ＧＣＥ）比较，研究了Ｚｎ（Ⅱ）的阶梯循环伏安法（ＣＳＶ）、阶梯阳极溶出伏安法（ＡＳＳＶ）和差分脉冲阳极溶出法（ＡＳＤＰＶ）等的伏安特性。实验指出，ＰＣＥ与ＧＣＥ有相似的伏安特性曲线，且具有较好的重视性和选择性。由于ＰＣＥ较ＧＣＥ的结构疏松，电极表面积较大，故ＰＣＥ的灵敏度ＲＧＣＥ高。其阳极溶出法的最低检出限可达到５×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１的Ｚｎ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ）的浓度在３．６×１０－４～８×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内与峰电流呈良好的线性关系。     

N，N，N~I，N~I－邻苯二胺四甲基膦酸与Zn、Cu配合物的pH电位法研究

用ｐＨ位法研究了Ｎ，Ｎ，Ｎ￣Ｉ，Ｎ￣Ｉ－邻苯二胺四甲基膦酸（Ｌ）的配位性质，并测定了其与Ｚｎ（Ⅱ）、Ｃｕ（Ⅱ）形成的配合物的稳定常数。Ｃｕ（Ⅱ）－Ｌ：ｌｏｇＫ＝１５．７８，Ｚｎ（Ⅱ）－Ｌ：ｌｏｇＫ＝１３．５０．     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用

研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用．用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物，作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材．发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极靶材的组成由ＣｒＳｉ２，ＮｉＳｉ两相变成Ｓｉ，ＣｒＳｉ２和ＮｉＳｉ２三相．所研制的三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积，可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用．     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。