用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。     

Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长

本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。     

Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析．结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀致密的薄膜．在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．其荧光寿命从常规粉末材料的的ｍｓ量级缩短至ｎｓ量级     

支撑团簇结构收缩效应的研究

利用磁控溅射与液氮冷凝相结合的方法，分别在方华膜及金膜上制备了Ｃｕ、ＺｎＯ等团族样品；并对样品的微观结构进行了ＴＥＭ／ＥＤ观察。结果表明，当Ｃｕ团簇的直径为２ｎｍ时，它表现为非晶结构；而当其直径大于８ｎｍ时，则表现为晶体结构。具有晶体结构的Ｃｕ团簇晶格常数随其大小的不同，表现出不同程度的收缩效应，与块材相比，最大收缩量达到了５％。随着尺寸的变化，ＺｎＯ团簇也表现出了一定的晶格收缩，观察到的最大收缩量为７％。     

Zn2SiO4：Mn纳米微晶薄膜的溶胶—凝胶法制备及其光致…

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析。结果表明，采用上述先驱动通过溶胶－凝胶过程可获得的均匀致密的薄膜。     

离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜

本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为１３３＂，并具有原子水平平整程度的ＺｎＳｅ（１００）单晶薄膜。     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉末

本文研究用湿化学法——ＮＨ＿３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料．用ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度、球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析、ＢＥＴ分析、粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态．压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻．     

甲醇催化脱氢新型催化剂的研究

研究甲醇催化脱氢ＺｎＯ／ＳｉＯ＿２催化剂及其添加剂的助催效应，并用ＥＤＡＸ和ＴＰＤ─ＭＳ法表征催化剂表面性质．结果表明：添加剂对甲醛产率的影响次序为Ｎｉ＞＞Ｍｇ＞Ｌｉ；不同制备方法改变表面Ｚｎ：Ｓｉ比．根据热力学平衡和主付反应产物的分布讨论了反应推理．     

用离子化技术制备C-BN薄膜

立方晶系的氮化硼(C-BN)具有极好的硬度、绝缘性,近年来受到国内外的注目。本文介绍在10~(-1)Pa的氮气氛中,用电子束蒸发硼,再进行离子化,制得氮化硼薄膜。经电子显微镜衍射图分析及与块状材料相比,其晶格距离极为一致,本文还分析了薄膜形成过程中基板温度、真空度等的影响。     

离子束强化在镀氮化钛薄膜中的应用

系统地进行了离子束强化真空沉积镀、射频离子镀和离子束强化射频离子镀3种镀TiN薄膜的实验,并对不同方法制备的TiN薄膜进行了性能测试与组织结构分析。研究结果表明,离子束强化不仅有提高沉积速率,细化晶粒,促进晶体择优取向的作用,而且可改善薄膜的附着力与耐磨性。因此可推荐用于提高耐磨性为目的的TiN镀膜生产上。     

氧分压对Zn0.99Mn0.01O稀磁薄膜结构和磁学特性的影响

采用脉冲激光沉积技术在Al2O3衬底上制备了Mn掺杂的ZnO稀磁薄膜.通过不同氧压下所制备样品的微观结构、光学性质和铁磁特性分析,研究了氧分压对Zn0.99Mn0.01O稀磁薄膜微观结构和磁学特性的影响.结果表明,所沉积薄膜均具有良好的c轴择优取向.在氧分压为5 Pa时得到的(002)衍射峰半高宽最小,但薄膜的室温铁磁...     

LY12铝合金复合氧化膜在硫酸锌溶液中交流电沉积行为研究

通过示波器跟踪检测LY12铝合金硫酸-磷酸复合氧化膜在硫酸锌溶液中交流电沉积过程的电流变化,考察了锌离子在复合膜中的反应历程.实验结果表明:接通电源后的一段时间内,阴、阳极峰值电流变化剧烈,变化趋势相似,而且阴极的峰值电流比阳极峰值电流大;随后阴、阳极峰值电流逐渐趋于一致;交流电沉积过程中复合膜颜色发生变化,锌沉积到复合膜孔中.LY12铝合金复合氧化膜在硫酸锌溶液中沉积300s时,锌沉积量为31.404μg/cm2,主要分布在复合膜孔底约2μm范围内.锌在复合膜孔中的沉积量与沉积时间呈对数关系.     

掺杂氧化锌薄膜的结构与刻蚀性能研究

本文利用中频反应磁控溅射方法,以Zn/Al (98 : 2) (wt. %)合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌（ZnO:Al, AZO）透明导电薄膜. 研究了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分析了AZO薄膜的刻蚀性能以及所制备的绒面结构特性. 结果表明：基体温度对薄膜生长有较大的影响,当温度为150℃时,薄膜具有较好的晶化率,晶粒呈明显的柱状生长,晶界间结合紧密,薄膜的电阻率为4.6×10-4Ωcm. 镀膜时基体的移动速度会影响薄膜的晶体生长方式,但对其沉积速率影响不大. 具有择优生长特性、形成柱状晶组织的薄膜经稀盐酸腐蚀后,其表面呈规则的粗糙形貌;此结构有利于充分捕集太阳光,从而提高薄膜太阳电池的效率.     

锌表面Mo(W)-S彩色簇合物膜的结构和性能

在锌表面获得多种具有金属光泽的不溶性Mo(W)-S彩色簇合物膜．膜层有良好的耐蚀性能和装饰效果，加热处理后其颜色发生变化，加速腐蚀试验结果表明，金黄色膜耐蚀性最佳．FT-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明，该膜层厚度约为60mm,钼在膜表面的价态为 6，而在膜内层则以 6、 4价共存．从AES深度分布曲线可知其组成为：Zn 32．5％，Mo 19．3％，S 39．4％，O 8．5％,膜为多分子层组成的复杂体系，其颜色是各组分统计分布的结果．     

离子束轰击法金刚石薄膜抛光

本文采用氩离子束轰击法，对不同晶体学表面形貌的ＣＶＤ金刚石膜进行抛光处理。结果表明，对不同表面开貌的金刚石膜，应合理选择离子束轰击入射角，提高离子束加速电压有利于提高抛光效率，（１００）择优生长的金刚石膜最容易得到高的表面平整度。     

离子束增强纯铁的磨损行为研究

纯铁表面沉积Ｔｉ和Ａｌ膜的同时，用Ｎ＾＋离子束注入增强沉积，成功地形成了性能优越的表面改性层。与ＺｒＯ２陶瓷球对磨结果表明，经Ａｌ＋Ｎ＾＋ＡＫ Ｉ＋ｎ＾＋离子束增强沉积后，纯铁的表面显微硬度及磨损性能得到了较大的提高，磨痕形貌和元素分布观察结果表明：离子束增强沉积处理前后，磨损的机理发生了变化。     

锌钴异常共沉积机理研究

用电化学方法研究了锌钴异常共沉积机理。实验结果表明,单独电沉积时,在不同电极上,钴离子的沉积电位都比锌离子正100mV至200mV;当锌钴共沉积时,钴受到抑制,其沉积电位变得比锌更负。用锑微电极跟踪电极表面附近pH值发现,钴沉积时,电极表面附近pH值升高。同时,Zn~(2 )生成Zn(OH)_2,并吸附在电极表面上,阻碍CO~(2 )的进一步放电。据此阐明了锌钴异常共沉积机理。