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| Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长 | |
| 引用本文： | 孟庆巨,吴连民,黄瑛,杨慧,陈佰军,郎远涛.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长[J].吉林大学学报(理学版),1994(3). |
| 作者姓名： | 孟庆巨 吴连民 黄瑛 杨慧 陈佰军 郎远涛 |
| 作者单位： | 吉林大学分析测试实验中心，吉林工学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科委基金 |
| 摘 要： | 本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。 |
| 关 键 词： | 新热壁外延生长装置，Ⅱ－Ⅵ族化合物，半导体薄膜材料，外延生长 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |