玻璃反应烧结制备NZP微晶玻璃中钨的作用及高温X射线衍射研究

NZP型晶体结构由于使用了其它大量的金属离子替代结构中的金属离子,因而具有了热膨胀的可调性和离子导电性。然而,因制备过程中需要保持高温很长时间,所以NZP很难制备出整块材料。针对磷酸盐玻璃使用玻璃反应烧结工艺,在一种低温替代路线中获得含有钨、锡的NZP结晶相。使用微波加热以及传统的熔炼和铸造技术,制备了一种含有适量NaPO3-SnO-WO3化合物的玻璃。用绿色的弹丸在烧结反应温度下分别经历不同的时间段进行固化,然后通过射线衍射(XRD)和差热(DTA)分析。结果显示氧化钨必须与SnO具有相同的比例才能获得不含有任何次晶相的纯NZP相。     

不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展

由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.     

掺杂元素在CuYO2作用机理的第一性原理研究

利用P型透明导电氧化物CuYO2实现全透明光电材料是目前深入研究的热点,其中的关键问题是如何通过掺杂改善CuYO2的性能。文中利用基于第一性原理的广义梯度近似方法研究Ⅱ族和Ⅳ族掺杂元素在CuYO2的作用机理。结果表明,Ⅱ族元素对Y原子的替位掺杂能改善材料CuYO2的P型导电性能,其中Mg元素的掺杂还不会引起材料内部的晶格变化,Ⅳ族元素的掺杂对CuYO2材料的导电性能改善作用不大。文中从微观角度分析CuYO2材料的掺杂机理,其结果将对设计理想的P型和N型透明导电材料CuYO2有着重要的指导意义。     

硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展

硅基光电集成回路是信息时代最具影响力的核心技术之一,由硅基光源、光电探测器、光调制器等模块组成.硅材料是微电子集成电路的基石,然而在光电集成方面却遇到了瓶颈.首先,由于硅是间接带隙材料,其发光效率极低,因此难以应用于硅基高效光源的研制.其次,硅在近红外通讯波段吸收系数很低,因此在近红外光电探测器的应用中具有较大的局限性.然而,研究者发现,通过能带工程将硅与其他Ⅳ族材料相融合不仅可以有效提高直接带高效发光效率,同时能使材料在近红外波段具有较高的吸收系数.因此,以Ⅳ族材料为基础,与硅工艺兼容的硅基光电集成回路引起了研究者的广泛关注.本文综述了课题组在硅基材料外延生长及其发光和探测器件方面的研究进展.介绍了硅基Ⅳ族材料Ge,SiGe/Ge异质结和量子阱材料的外延生长技术,以及硅基GeSn量子点发光材料的制备新方法.基于硅基Ⅳ族异质结构材料,发展调制金属与半导体接触势垒高度新机理,研制了多种结构的光电探测器.设计并制备了与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)结构兼容的横向异质结以及双有源区垂直共振腔型两种结构硅基电致发光器件,有效提升器件的发光性能,并观察到应变锗发光增益现象.     

金刚石n型掺杂的研究进展

对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族元素(O,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较.分析表明:采用CVD法,掺入硫杂质应是较理想的掺杂方式.     

双掺杂钙钛矿型复合氧化物La0.7Sr0.3Co1-xMxO3的电性能研究

以开发新型激光器阴极材料和固体氧化物燃料电池阴极材料为目的,合成一系列钙钛矿型复合氧化物La0.7Sr0.3Co1-xMxO3(M过渡族金属元素),并对Co位掺杂过渡族元素后样品的高温电阻率和热电动势进行研究,发现Co位掺杂不同元素显著影响材料的电导率和导电类型,并对其相应的物理机制进行探讨.     

III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

合金LaNi_5对氢的吸附性能

稀土元素和Ⅷ族金属的金属间化合物可作储氢材料,特别是可用作供有机化合物氢化用的电极材料,因此,研究它们的电化学性具有重大意义.本文研究了LaNi_6对氢的吸附特性.     

过渡金属硫族化合物激子研究进展

分别介绍了激子的基本概念及过渡金属硫族化合物（transition metal dichalcogenides,TMD）材料中不同类型的激子态，并对TMD材料中激子的调控方法和手段进行了系统综述；总结了TMD材料中激子问题的潜在研究方向及应用.     

近室温磁制冷工质的研究现状与发展前景

基于稀土-过渡族金属间化合物Gd-Si-Ge系合金及钙钛矿型猛氧化物的磁热效应及其巨磁热效应机理,对近室温磁制冷材料的研究现状及材料与磁制冷技术的发展前景进行了分析.     

SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展

SnS是一种Ⅳ-Ⅵ族半导体材料,非常适合于作为太阳能电池的吸收层材料。目前已经研究开发了许多制备SnS薄膜的技术,并对其性能进行了研究,详细阐述了SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展。     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

双掺杂钙钛矿型复合氧化物La_(0.7)Sr_(0.3)Co_(1-x)M_xO_3的电性能研究

以开发新型激光器阴极材料和固体氧化物燃料电池阴极材料为目的 ,合成一系列钙钛矿型复合氧化物 La0 .7Sr0 .3 Co1- x Mx O3 ( M:过渡族金属元素 ) ,并对 Co位掺杂过渡族元素后样品的高温电阻率和热电动势进行研究 ,发现 Co位掺杂不同元素显著影响材料的电导率和导电类型 ,并对其相应的物理机制进行探讨 .     

GaAs和ZnSe中极化子的压力效应

考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的~族GaAs和~族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对~族材料的影响比较大.     

AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．     

K2x Ba1-xZr4(PO4)6系统的合成及热膨胀行为

用固相反应法合成了属于NZP结构的K2xBa1-xZr4(PO4)6固溶体系统，采用逐步推进的最小二乘法对各组成的高温X射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定，精确计算了晶格常数随温度的变化。由轴向膨胀系数αa和αc计算得出的平均线膨胀系数-↑α与由顶杆法热膨胀仪测得的陶瓷样品热膨胀系数基本吻合。     

广西僮族的掌纹和指纹的研究

僮族是我国少数民族中人口最多的一个民族.全国僮族人口约有七百万,主要分布在广西僮族自治区境内.居住在广西的僮族同胞共有六百五十余万人,约占全自治区总人口的百分之三十七左右.为了研究僮族的体质状况,一九六三年夏,作者及吴融酉、雷芗生等同志带领复旦大学人类学专业四年级同学,去广西僮族自治区的南宁、武鸣一带进行了一次调查.在这次调查过程中,我们对1121人进行了测量和观察,此外还收集到三百余人的掌纹和指纹的材料.本文就是对其中243人的掌纹和指纹的初步分析和研究的结果.这243人,全部是男性.不     

砷化镓材料

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。     

哈萨克族《加尔—加尔》阿依特斯的本体研究

哈萨克族是新疆的世居民族,有着悠久的历史和古老的文化传统.其民歌具有宝贵的社会价值、文化价值、艺术价值和科学价值.通过对哈萨克族经典阿依特斯《加尔—加尔》的本体研究,从曲式类别、结构形态、调式音阶特征、节拍运用、歌词特点、旋律形态、材料关系等方面探究哈萨克族传统音乐文化特征.     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理，发光二极管的结构与特性，并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。