金属微粒—介质复合薄膜（Ag—BaO）的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒－介质复合薄膜，会存在各种不同的微观结构缺陷，为研究它的这种缺陷，制备了Ａｇ微粒－介质（ＢａＯ）复合薄膜，并在不同温度下退火，对这些样品做了正电子湮没有寿命实验，结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少，这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷退火而得到改善。     

金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究

用正电子湮没技术对YAG/Nd晶体不同位置进行了探测。实验结果表明,YAG/Nd晶体的不均匀性、缺陷的分布以及退火处理后晶体缺陷减少的情况与正电子寿命,多普勒增宽线形参数有对应关系。紫外光谱分析说明,YAG/Nd晶体中缺陷捕获态主要与色心有关。     

基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜 的缺陷结构对比分析

在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜．以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷．研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好．并分析其缺陷的产生机理．     

含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究

通过测量过渡金属元素（Ti,V,Cu）以及TiAl基合金（Ti5A150,Ti50A148V2,Ti5A148Cu2）的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息．结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强．二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大．在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加．Ti,A148cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金．     

BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大．     

硅酸二钙活性的研究

硅酸二钙（Ｃａ２ＳｉＯ４简写为Ｃ２Ｓ）是硅酸盐水泥的主要成份，对硅酸二钙进行掺杂改性。可以影响Ｃ２Ｓ的微观结构，水化活性，烧成速度等．用正电子湮没技术研究了掺Ｎａ２Ｏ和Ｐ２Ｏ５的Ｃ２Ｓ正电子寿命谱，结果表明掺杂能增加Ｃ２Ｓ的微结构缺陷，使Ｃ２Ｓ烧成速度加快，水化活性增大．用正电子湮没技术Ｘ射线衍射线宽效应和扫描电镜等手段研究了不同燃烧条件下，Ｃ２Ｓ的中间体ＣａＯ的活性及其变化规律．结果表明，在快速烧成条件下的新生态ＣａＯ晶粒尺寸小，缺陷浓度高，ＣａＯ与Ｃ２Ｓ的活性也较高在硅酸盐水泥生料中掺杂和采用快速烧成工艺，可以增大硅酸盐水泥的烧成反应速度，有重要的实用价值．     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

用正电子湮没技术研究Ⅰ型裂纹尖端附近的损伤区

用正电子湮没技术研究LY12CZ铝合金材料裂纹尖端附近的损伤区,采用正电子湮没寿命谱的两态捕获模型,将正电子在缺陷中湮没的平均寿命τ作为损伤变量的参量,得到裂纹尖端附近区域损伤值D的分布,并发现从裂尖到离裂尖大约1／2板厚处范围内具有三维效应。     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷

本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。     

电子偶素与正电子-电子对的湮灭

探讨正电子偶素的物理性质以及正电子-电子对的湮灭方式。     

用符合正电子湮没技术研究Zr、Nb对NiAl合金的d电子影响

采用双探头符合技术测量Ni、Al、Zr、Nb、NiAl及Ni50Al48Zr2、Ni50Al48Nb2样品的正电子湮没辐射的多普勒展宽谱.从谱线提取正电子与样品中d电子湮没的信息,发现正电子与NiAl样品的d电子湮没信号因Ni3d-Al 3p电子杂化而相对降低,Zr、Nb的添加导致合金样品中d-d电子作用增强、谱线d电子信号增大,添加Nb的样品谱线峰高于添加Zr样品,说明Nb的加入比Zr抑制d-p电子作用效果更佳.     

Positronium annihilation in oxygen and nitrogen mixture

Formed in silica aerogels, positronium annihilation in oxygen and nitrogen mixture is studied by a simple and convenient method. The results show that ortho-positronium (o-Ps) lifetime is significantly shortened when some oxygen is introduced into nitrogen gas and that the o-Ps collisional quenching rate for an oxygen molecule is (28.0±0.4) μs^?1·amagat^?1 (1 amagat = 2.69×10²⁵ m^?3). It is found that the o-Ps annihilation rate in oxygen of 1atm at room temperature is (25.5±0.5) μs^?1 and that the effective number of electrons per oxygen molecule available for 2γ annihilation of positron in the o-Ps is (34.6±0.4).     

用慢正电子束测定类金刚石薄膜中的缺陷浓度

对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜(a-C:H)的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不同偏压下制备的薄膜,其膜中缺陷浓度存在很大差别,但在900 V偏压下制得的样品,膜中的缺陷浓度最低.