X射线光储材料BaFCL的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。     

BaFCl：Eu^2＋的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋系列粉末样品。实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）〈１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大。     

BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大．     

辐射交联聚乙烯正电子湮灭谱的研究

本文用正电子技术研究了辐射交联聚乙烯在不同辐照剂量下的正电子湮灭参数,井与化学交联的聚乙烯样品近行比较,得出有意义的结果。