X射线光储材料BaFCL的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。     

BaFX : Eu~(2 )(X=Cl,Br) 的 X 光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理．在Ｘ光辐照后，Ｅｕ２＋并不变价为Ｅｕ３＋，因而不是空穴陷阱．Ｏ－Ｆ是一种重要的空穴陷阱．存在电子隧穿过程．     

光电平板显示器荧光屏及其亮度测量

本报告了荧光屏及其在光电平板显示器中的应用，测量了光电平板显示器荧光屏的发光亮度变化．结果表明，研究的荧光屏在光电平板显示器中具有实用价值．     

BaFX：Eu（X：Cl,Br）中电子陷阱的研究

Ｘ线影像板需要近红外光激励。掺入Ｃａ＾２＋,Ｓｒ＾２＋,Ｍｇ＾２＋后,用６５０￣７００ｎｍ光激励ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋,可以更为灵敏。用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了Ｘ射线辐照后ＢａＦｘ：Ｅｕ（Ｘ：Ｃｌ,Ｂｒ）电子陷阱的性质、状态、密度和转换。     

无机晶体材料中色心的形成及其存储机理的研究

BaFBrEu2+作为一种优良的光激励发光材料,广泛使用于诸多方面.本论文研究了在BaFBrEu2+中掺杂金属离子,促使其激励波长红移,以适应小巧、价廉的半导体激光器.并且研究了掺杂不同的金属离子对BaFBrEu2+激励波长的影响,从色心的角度分析了其红移现象.     

用于FED和VFD的低压蓝色ZnS:Zn,Pb荧光粉的研究(英文)

研究出的低压蓝色ZnS：Zn，Ph荧光粉的色座标为x－0．145，y＝0．166这种荧光粉相近的亮度面，远远大于ZnS：Zn的亮度，当与粒径的二分之一的In2O3混合时，其临界电压可从80V下降到8V，这种荧光粉可用于FED和VFD中．     

BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究

X线影像板需要近红外光激励．掺入Ca2＋,S2＋,Mg2＋后,用650～700um光激励BaFX：Eu2＋,可以更为灵敏．用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了X射线辐照后BaFx：Eu（X：CI,Br）电子陷阱的性质、状态、密度和转换．     

用化学合成法制备ZnS∶Mn纳米晶

本文报道了一种用化学合成法制备硫化锌掺锰纳米晶的方法．制成的两种纳米晶直径分别为３．０ｎｍ和３．６ｎｍ，紫外吸收峰分别在２６１ｎｍ和２７７ｎｍ，相对于体材料吸收带边的３４０ｎｍ有明显的蓝移．用３１０ｎｍ光激发的发射光谱峰值分别为５７９ｎｍ和５８２ｎｍ，表明锰已掺入ＺｎＳ纳米晶之中．     

低压FED粉(Gd_(2-m)Zn_m)O_3:Eu~(3 )阈值电压特性的研究

低压ＦＥＤ 荧光粉现在存在着一个比较大的问题就是红色荧光粉的阈值电压高, 发光效率低－本文对一种新型红色低压荧光粉（Ｇｄ２ － ｍＺｎ ｍ）Ｏ３ ：Ｅｕ３ ＋ 的低阈值电压特性进行了讨论     

影响 YAGG : Tb 荧光粉发光亮度因素的研究

粉末荧光粉的发光亮度与合成条件、处理方法密切相关，本文通过长期研究确定了投影电视用绿色荧光粉ＹＡＧＧ：Ｔｂ的最佳灼烧温度在１５００℃左右，当用弱酸和有机溶剂先后处理之后，可以将发光亮度提高３５％，荧光粉颗粒细小均匀，分散性和流动性均达到较高水平．