强自然对流流体的有限元解法──用于化学气相淀积反应器

以冷壁化学气相淀积（ＣＶＤ）反应器中淀积ＴｉＮ涂层为对象，建立了适用于强自然对流流体的ＣＶＤ反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应，计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程序，计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了ＴｉＮ的淀积速率，计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积ＴｉＮ系统，也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计算传递过程的重要工具。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

等离子化学气相沉积硬膜技术研究

用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）技术制备了ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（ＣＮ）和（ＴｉＳｉ）Ｎ膜及其组合的多层膜。ＰＣＶＤ具有很好的覆盖性，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有很好的耐磨、蚀性，膜与基体结合良好，因而用ＰＣＶＤ法在高速钢刀具、模具及轴承上沉积ＴｉＮ可大大提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－ＴｉＮ和Ｔｉ（ＣＮ）膜无明显柱状晶，其显微硬度高于ＴｉＮ亦可用于高速钢刀具、模具上提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－（ＴｉＳｉ）Ｎ，晶     

纳米硅薄膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜，根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。     

流态化CVD制备超细Al_2O_3－SnO_2复合粒子过程模型研究

基于流态化ＣＶＤ制备超细复合粒子过程中的反应、成核、包敷、气流夹带，建立了流态化ＣＶＤ反应器中描述超细粒子的粒度、分布及成核包敷、成膜包敷的一维过程模型。针对ＳｎＣｌ＿４－Ｈ＿２Ｏ－Ｎ＿２体系包敷超细Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子的过程，研究了反应器中ＳｎＯ＿２粒子的形成过程及操作参数对其在Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子表面的淀积速率及形态的影响。结果表明，反应温度和ＳｎＣｌ＿４浓度升高，包敷速率加快，包敷形态变差；背景气氛粘度增大，包敷形态变优，包敷速率减小；操作气速增大，包敷速率加快，包敷形态变优。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．     

纳米硅簿膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。     

PCVD—TiN涂层及其钢基体的热处理

在Ｃｒ１２钢基体上用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ涂层后,再进行热处理强化基体的研究,结果表明,热处理后,ＰＣＶＤ－ＴｉＮ少层的显微硬度略有提高。Ｘ射线衍射分析表明,经过热处理后,ＰＶＣＤ－ＴｉＮ涂层的晶体结构更趋于完整,其晶面间距也更接近或达到ＴｉＮ晶面间距的标准值。     

流态化化学气相淀积制备Al2O3—SnO2复合粒子的研究

利用流态化化学气相淀积（ＣＶＤ）制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合粒子。探讨了ＳｎＯ２在Ａｌ２Ｏ３超细颗粒上的包敷状态，考察了反应温度，反应物进料逍度比，反应时间等对反应结果的影响。结果表明，ＳｎＯ２在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布，形成Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合粒子，ＳｎＯ２均匀淀积在Ａｌ２Ｏ３超细颗粒原生粒子表面，流态化ＣＶＤ包敷效果优于非流化过程，随反应时间的延长，产物中ＳｎＯ２含量线性递增；而当反     

LF—VD—CC过程中钢液温度控制模型

在分析ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程各阶段热平衡状况的基础上，开发了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程中钢液温度控制模型，用该模型模拟计算了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程的温度变化。结果表明，该模型对预报过程钢水温度，计算的命中率较高，可用于工业生产。     

多晶3C—SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构，光学常数，组分及化学键等性能。     

SnO2／Si特性的研究

在不同温度下，由ＣＶＤ法，在（１１１）和（１００）单晶硅上淀积ＳｎＯ２，测量了它们的光电压谱和相应的气敏特性，推导了光电压的计算公式，并由此计算出其重要的参数     

流态化化学气相淀积制备Al_2O_3－SnO_2复合粒子的研究

利用流态化化学气相淀积（ＣＶＤ）制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子。探讨了ＳｎＯ＿２在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒上的包敷状态，考察了反应温度、反应物进料浓度比、反应时间等对反应结果的影响。结果表明，ＳｎＯ＿２在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布，形成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子，ＳｎＯ＿２均匀淀积在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒原生粒子表面，流态化ＣＶＤ包敷效果优于非流化过程；随反应时间的延长，产物中ＳｎＯ＿２含量线性递增；而当反应温度高于３００℃，反应物Ｈ＿２Ｏ和ＳｎＣｌ＿４配比大于４：１时，ＳｎＯ＿２含量基本保持不变。     

合成TiN膜的俄歇电子能谱研究

采用离子束增强沉积方法（ＩＢＥＤ），在Ｆｅ基上制备了ＴｉＮ薄膜。通过划痕仪，透射电镜（ＴＥＭ），俄歇电子能谱（ＡＥＳ），粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组分和机械特性；发现ＴｉＮ膜与衬底之间存在一过渡区，膜中含氧量比气相真空沉积（ＣＶＤ）明显减小。在ＡＥＳ定量计算中，本文采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重叠现象     

钛的氯化物化学气相沉积TiN热力学

应用物质自由焓函数法（函数法）及化学反应平衡常数Ｋｐ，对ＴｉＣｌ２，ＴｉＣｌ３和ＴｉＣｌ４的生成反应以及它们与Ｎ２和Ｈ２反应化学气相沉积ＴｉＮ的热力学进行了计算与分析。结果表明，用ＴｉＣｌ３与Ｎ２和Ｈ２的气相反应，能在较低温度下获得ＴｉＮ，为低温化学气相沉积ＴｉＮ提供了理论依据     

LF-CD-CC过程中钢液温度控制模型

在分析ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程各阶段热平衡状况的基础上,开发了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程中钢液温度控制模型。用该模型模拟计算了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程的温度变化。结果表明,该模型对预报过程钢水温度,计算的命中率较高,可用于工业生产．     

脉冲辉光PEOMCVD金属表面硬涂层研究

研究了直流脉冲等离子体进行ＰＥＯＭＣＶＤ（等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积）淀积含钛多组元化合物硬质膜的新工艺。对试样进行了显微硬度、涂层厚度、表面结构及膜的元素成份分析。     

温度和时间对TiN涂层性能的影响

采用松理化学气相沉积（即ＰＣＶＤ）技术，在不同的温度和时间下制备２组ＴｉＮ涂层试样；讨论了温度与时间对涂层性能的影响，并在微观结构分析基础上，讨论了时间和温度等工艺参数与微观结构和性能间的关系     

Li,Na,K和Cs的高压熔解规律

本文由Ｌｉｎｄｅｍａｎｎ定律出发，利用Ｄｅｂｙｅ模型和Ｖｉｎｅｔ方程拟合计算了四种碱金属Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ和Ｃｓ在高压下的熔解温度，并与Ｓｉｍｏｎ方程的计算结果进行了比较。结果表明 ，就与实验值的符合程度而言，前者的计算结果好于Ｓｉｍｏｎ方程的结果。     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表