纳米硅薄膜制备工艺的研究 |
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引用本文: | 万明芳,何宇亮.纳米硅薄膜制备工艺的研究[J].大连理工大学学报,1995,35(6):801-804. |
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作者姓名: | 万明芳 何宇亮 |
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摘 要: | 采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜,根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件,分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响,从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。
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关 键 词: | 硅 薄膜 PECVD 纳米硅 |
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