3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

用双电桥法减小压力传感器输出的温度漂移

论述了温度对压力传感器输出灵敏度的影响，为了减小传感器输出的温度漂移，采用双惠斯登电桥方法，在300－373K的温度范围内对传感器进行测试，结果表明传感器输出的温度漂移可以降低70％以上。     

多晶3C-SiC体材料的制备及其结构分析

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5mm的SiC体材料.用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、Raman散射等手段对样品进行了检测分析.实验结果表明所制备样品为3C-SiC多晶体.     

多晶3C—SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构，光学常数，组分及化学键等性能。     

一种确定水热法制备纳米Fe3O4最佳工艺参数的新方法

以水热法制备纳米Fe3O4为例，用二次正交旋转回归设计法获得试验方案的指标值，并建立多元回归方程和二次规划数学模型，求解这一数学模型．实验证明，此方法工作量较小，优化数学模型的求解方法成熟，为确定制备纳米材料最佳运行工艺参数提供了一种新的有效途径。     

化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析

研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物，氯化铵作缓冲剂，采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理，分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明，硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn^2 与S^2-，三乙醇胺作为络合剂可以维持溶液中Sn^2 的浓度，氯化铵的加入可使反应液PH值在反应中平稳变化，有利于高品质薄膜的形成。