掺硼非晶态硅氟合金的电导特性

一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重要突破,同时也为非晶态半导体理论的进一步发展提供了富有价值的实验依据。关于a—Si:H材科的研究是近几年来在非晶态半导体方面的一个重要内容,围绕着氢对a—Si:H材料物理性质的影响、氢在其中的结构状态和电子状态等方面已经完成了和正在进行着大量的研究工作。     

我校研制的非晶硅太阳电池转换率达4.7%

物理系专业的教师和研究生张仿清、徐希翔、王会生、陈光华等同志,最近对a—Si∶H材料及其掺杂的a—Si∶H材料充电性能深入研究的基础上,试制了玻璃SnO_2/p-a-Si∶H/i-a-Si∶H/n-a-Si∶H/Al结构的太阳能电池,转换效率已达4.07%。     

非晶态半导体硅p-n结

早在1976年初,W.E.Spear等人已制成非晶态硅(a—si)p—n结。本文是探讨建立一种与之相应的静态理论,在隙态密度分布函数未知的情况下,利用积分中值定理,并对p—n结能带的性质作了适当假定之后,就达到了预期的目的。结果表明,在轻掺杂情形下,这种理论与晶体p—n结突变结理论在数学形式上仅差一个因子。     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

稀土离子掺杂玻璃的制备与发光性能分析

稀土离子掺杂玻璃是良好的发光基质材料,广泛地应用于激光、光学放大器、光通讯等多方面。该文通过对稀土离子掺杂高硅氧玻璃的制备与发光性能进行分析,旨在提出稀土离子掺杂高硅氧玻璃的制备工艺,充分挖掘稀土离子掺杂高硅氧玻璃的发光性能,为稀土离子掺杂高硅氧玻璃的应用提供理论依据与实践指导。     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型

本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。     

非晶态快离子导体中的“混合碱效应”

通过对0.5[xNa_2O—(1-x)Li_2O]—0.5P_2O_5和0.3[xNa_2O—(1-x)Li_2O]—0.7B_2O_3两个非晶态碱金属离子玻璃体系的制备和测试,证明了非晶态快离子导体中“混合碱效应”的存在,并由实验曲线找出了这两种玻璃材料的转变温度T_8、离子电导率σ_T、幂前因子σ_O和激活能E_a分别与组成该材料的摩尔分数x之间的相互关系。     

反应溅射生长的 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格结构的 TEM 观察

自1983年 Tiedje 和 Abeles 等人报导了非晶态半导体超晶格以来,非晶态半导体超晶格以它特殊的性质和潜在的应用前景(如太阳能电池,TFT 等)越来越引起人们的注意。由于非晶态长程无序,因而非晶态超晶格不像晶态超晶格那样在界面处要求严格的晶格匹配。人们已经用辉光放电法生长了 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格(?)~2,但是这种方法     

a-Si:H/a-Si_(1-X)C_X:H 超晶格的光学性质

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si_(1-x)C_x∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测(?)发现:(Si—C)键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.     

a-Si_XC_(1-X)∶H薄膜的制备及其特性的研究

作为目前研制非晶硅太阳能电池的重要材料之一:a—Si_xC_(1-x)∶H 薄膜,最近已在我们实验室制备出来了。我们已对这种材料的性能:如红外吸收振动谱(IR)、化学分析电子谱(ESCA)、电子自旋共振谱(ESR)、光电导与暗电导之比(σP/σD)、光学禁带宽度(Eopt)的测量、以及制备的工艺条件等,作了初步的分析,现将实验结果简报如下:     

GD-a-Si_(1—X)C_X∶H 薄膜的光吸收和光电导

辉光放电法制备的氢化非晶硅(a—Si∶H)薄膜是获得廉价太阳电池的重要材料之一.然而,掺硼之后光学带隙变窄,影响了太阳电池的短波性能.1977年 Anderson 和Spear 首先获得了宽带隙的氢化非晶硅碳合金薄膜(a—Si_(1-x)C_x∶H).最近 Tawada 等用这种材料作宽带隙窗口材料首先获得了 P-a-SiC∶H/i-n-a-Si∶H 异质结太阳电池,使其转换效率达7%以上.已经看出,a-Si_(1-x)C_x∶H 是一类很有实际应用价值     

Tb 添加对 Cu-Zr-Al 合金玻璃形成能力和力学性能的影响

[目的]非晶态合金通常具有较高的强度和弹性,但在室温下却表现出明显的宏观脆性.考虑向非晶态合金中引入稀土元素,研究它的性能变化进而希望达到有效调控非晶态合金性能的目的.[方法]通过向Cu50Zr46Al4非晶态合金中添加微量的Tb元素,利用铜模吸铸法制备了一系列的Cu50-xZr46Al4Tbx(x=0,1,2,3,4)非晶态合金.[结果]实验结果表明,Tb组元的引入可以提高Cu50Zr46Al4合金的玻璃形成能力.其中:原子数百分比(at.％)为1 at.％的Tb添加使合金获得了最大的γ参数值,合金体系的热稳定性明显提高.力学性能测试结果显示,3 at.％的Tb添加可以明显提高合金的强度和塑性应变能力.同时,Tb组元的引入使Cu50Zr46Al4非晶态合金的硬度降低,并可以改变合金结构和硬度分部规律,有利于合金塑性变形能力的提高.[结论]为探究微量稀土元素的添加对非晶态合金物性的影响提供了实验依据.     

非晶态合金材料的巨磁阻抗效应及应用

非晶态合金材料是一种性能优良的新型软磁材料,其中包括非晶合金薄带、非晶合金粉末、非 晶态合金薄膜及非晶态合金丝。这类材料具有矫顽力、高磁导率、高频特性好等优良特性。特别是采用非晶晶化法制备的纳米软磁材料使非晶合金材料显示出了更为广阔的应用前景。 非晶态合金材料中的非晶态合金带及非晶态合金丝的应用范围较广,主要表现在以下几个方面:(1)大功率配电变压器、高频开关电源、电机、扼流圈、磁放大器;(2)各种电感元件、录音、录像磁头、漏电保护装置;(3)磁敏元件、磁传感器及力学量传感器等。     

非晶态半导体

引言非晶态半导体种类很多,目前研究最多而且最有实用价值的非晶态半导体材料有两大类:一类是硫属玻璃,如As_2Se_3、ADS_2S_3、AS_2Tl_3等。另一类是由四面体键合的非晶态半导体材料,如非晶硅、锗等。早在五十年代人们就开始了对非晶态材料和电子态的研究。1955年苏联的科兹洛夫等人     

关于铁硅硼非晶合金退火中结构弛予的研究

前言 铁硅硼系非晶合金是具有较高饱和磁感应强度的软磁材料,其中成分为Fe_(78)Si_(10)B_(12)的非晶合金的Bs可达16千高以上,比冷轧取向硅钢片略低一些。但此类非晶软磁材料的导磁率和矫顽力都优于硅钢片,同时由于它的电阻率比硅钢约高三倍,所以它的总损耗可比硅钢小很多。用这种非晶软磁材料做各种电源变压器可大大节约能源,这点在今天具有特殊重要的意义,因此目前国内外有很多人在研究这个系列的非晶态合金,以期尽早付诸使用。     

溅射法制备a-Si:H/a—SiY:H超晶格的量子尺寸效应

本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。     

Co助剂对Ni-B非晶态催化剂微观结构和加氢性能的影响

通过化学还原法制备了一系列Ni-B非晶态合金催化剂,研究了n(KBH4)/n(Ni)和Co含量对Ni-B非晶态合金催化剂微观结构及其催化二硝基甲苯(DNT)合成甲苯二胺(TDA)性能的影响。通过XRD和H2-TPD技术对催化剂微观结构表征表明,随着n(KBH4)/n(Ni)的增大,NiB2含量增多,催化剂的加氢性能先增大后减小;当n(KBH4)/n(Ni)=4时,Ni-B非晶态合金的催化加氢性能最优。Co助剂的引入增大了Ni-B非晶态合金的无序程度,降低了Ni活性中心对H2的吸附强度,使得H2物种更容易在催化剂表面流动并参加反应,进一步增大了Ni-B催化DNT加氢合成TDA的活性和选择性。当Co的摩尔分数为6%时,Ni-Co-B非晶态合金催化剂的性能最优,DNT转化率为96.8%,TDA的选择性达100%。     

非晶合金发展及制备

概述了大块非晶态材料的发展历史,并从成分结构条件、热力学条件、动力学条件等方面阐述了大块非晶合金的形成机制。介绍了大块非晶合金的制备方法,描述了大块非晶合金玻璃形成能力的各种判据。     

a-C:H/a-Se合金/Al感光体的设计和研制

本文设计制作了一种静电复印技术中使用的新型感光体a—C:H/a—Se合金/Al.它是在硒感光体上沉积一层含氢非晶碳(a—C:H)而制成的。非晶碳膜的硬度高(显微硬度可达3000Kg/mm~2以上),化学惰性高,能抵抗强酸、强碱和许多有机溶剂的侵蚀,无毒等。a—C:H膜覆盖在硒感光体上既保持了硒感光体的优良的电摄影性能,又可大大增加硬度和耐磨性,延长使用寿命。